| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第16-35页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第16-24页 |
| 1.1.1 软错误是航天器中集成电路失效的主要原因 | 第16-21页 |
| 1.1.2 抗辐射集成电路迈入纳米尺度已成为必然 | 第21-22页 |
| 1.1.3 电荷共享对单粒子翻转的研究提出了新挑战 | 第22-24页 |
| 1.2 国内外相关研究及不足 | 第24-32页 |
| 1.2.1 单粒子翻转建模技术研究现状及不足 | 第24-27页 |
| 1.2.2 单粒子翻转加固技术研究现状及不足 | 第27-32页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第32-33页 |
| 1.4 本文的组织结构 | 第33-35页 |
| 第2章 单粒子翻转效应分析 | 第35-42页 |
| 2.1 单粒子翻转机理 | 第35-37页 |
| 2.1.1 SEU的形成 | 第35-36页 |
| 2.1.2 电荷共享效应 | 第36-37页 |
| 2.2 单粒子翻转的测量技术 | 第37-41页 |
| 2.2.1 脉冲激光 | 第37-39页 |
| 2.2.2 离子微束试验 | 第39-40页 |
| 2.2.3 离子宽束试验 | 第40-41页 |
| 2.3 小结 | 第41-42页 |
| 第3章 基于DICE触发器的电荷共享测试研究 | 第42-54页 |
| 3.1 基于DICE触发器的电荷共享测试电路 | 第42-45页 |
| 3.1.1 DICE触发器的基本原理 | 第42-44页 |
| 3.1.2 基于DICE触发器的电荷共享测试原理 | 第44-45页 |
| 3.2 模拟设置及模拟结果验证 | 第45-49页 |
| 3.2.1 模拟设置 | 第45-46页 |
| 3.2.2 模拟结果验证 | 第46-49页 |
| 3.3 重离子试验设置及试验结果 | 第49-53页 |
| 3.3.1 重离子试验设置 | 第49-51页 |
| 3.3.2 重离子试验结果 | 第51-52页 |
| 3.3.3 讨论 | 第52-53页 |
| 3.4 小结 | 第53-54页 |
| 第4章 考虑电荷共享的触发器单粒子翻转敏感面积研究 | 第54-64页 |
| 4.1 电荷共享引起的单粒子翻转敏感性变化机理 | 第54-56页 |
| 4.2 模拟设置与结果 | 第56-61页 |
| 4.2.1 模拟设置 | 第56-59页 |
| 4.2.2 模拟结果分析 | 第59-61页 |
| 4.3 重离子试验验证 | 第61-63页 |
| 4.3.1 测试芯片设计 | 第61-62页 |
| 4.3.2 重离子试验结果 | 第62-63页 |
| 4.4 小结 | 第63-64页 |
| 第5章 抑制电荷共享的触发器加固技术研究 | 第64-75页 |
| 5.1 触发器加固结构设计 | 第64-67页 |
| 5.1.1 加固结构设计 | 第64-66页 |
| 5.1.2 触发器加固原理分析 | 第66-67页 |
| 5.2 模拟设置及模拟结果 | 第67-70页 |
| 5.2.1 模拟设置 | 第67-68页 |
| 5.2.2 抗单粒子翻转模拟结果 | 第68-70页 |
| 5.3 重离子试验设置及试验结果 | 第70-74页 |
| 5.3.1 重离子试验设置 | 第70-72页 |
| 5.3.2 试验结果与分析 | 第72-74页 |
| 5.4 小结 | 第74-75页 |
| 第6章 抑制电荷共享的SRAM加固技术研究 | 第75-89页 |
| 6.1 传统SRAM存储单元结构 | 第75-77页 |
| 6.2 抑制电荷共享的SRAM加固技术 | 第77-79页 |
| 6.3 模拟设置及模拟结果 | 第79-87页 |
| 6.3.1 模拟设置 | 第79-82页 |
| 6.3.2 模拟结果 | 第82-85页 |
| 6.3.3 结果分析 | 第85-87页 |
| 6.4 小结 | 第87-89页 |
| 总结 | 第89-92页 |
| 参考文献 | 第92-104页 |
| 附录A 博士期间发表学术论文和参与科研项目 | 第104-105页 |
| 致谢 | 第105页 |
