| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 透明导电氧化物薄膜(TCO)概述 | 第10-13页 |
| 1.2.1 TCO薄膜的主要特性 | 第10-11页 |
| 1.2.2 透明导电氧化物薄膜的种类与应用 | 第11-13页 |
| 1.3 ZnO基透明导电氧化物薄膜 | 第13-21页 |
| 1.3.1 ZnO的晶体结构 | 第13-15页 |
| 1.3.2 ZnO基薄膜的透光性 | 第15-17页 |
| 1.3.3 ZnO基薄膜的导电性 | 第17页 |
| 1.3.4 透光性与导电性的关系 | 第17-18页 |
| 1.3.5 镓掺杂氧化锌(GZO)薄膜的性质和研究现状 | 第18-21页 |
| 1.3.5.1 GZO薄膜的性质 | 第20-21页 |
| 1.3.5.2 GZO薄膜的研究现状 | 第21页 |
| 1.4 论文的研究内容和方法 | 第21-23页 |
| 第2章 GZO透明导电膜的制备和性能表征 | 第23-34页 |
| 2.1 磁控溅射技术 | 第23-28页 |
| 2.1.1 磁控溅射技术原理 | 第23-25页 |
| 2.1.2 溅射过程和辉光放电现象 | 第25-27页 |
| 2.1.3 射频磁控溅射技术 | 第27-28页 |
| 2.2 GZO薄膜的制备 | 第28-30页 |
| 2.2.1 薄膜制备的相关参数 | 第28-29页 |
| 2.2.2 GZO薄膜的制备过程 | 第29-30页 |
| 2.3 薄膜的生长、应力与附着力 | 第30-32页 |
| 2.3.1 薄膜的生长 | 第30-31页 |
| 2.3.2 薄膜的应力与附着力 | 第31-32页 |
| 2.4 薄膜性能的测试与表征 | 第32-34页 |
| 第3章 GZO薄膜的制备及性能优化 | 第34-60页 |
| 3.1 基底温度对GZO薄膜性能的影响 | 第34-41页 |
| 3.1.1 基底温度对GZO薄膜结构性能的影响 | 第34-36页 |
| 3.1.2 基底温度对GZO薄膜光学性能的影响 | 第36-37页 |
| 3.1.3 基底温度对GZO薄膜电学性能的影响 | 第37-38页 |
| 3.1.4 基底温度对GZO薄膜禁带宽度的影响 | 第38-41页 |
| 3.1.5 小结 | 第41页 |
| 3.2 室温下溅射时间对GZO薄膜的影响 | 第41-51页 |
| 3.2.1 溅射时间对GZO薄膜结构性能的影响 | 第42-44页 |
| 3.2.2 溅射时间对GZO薄膜光学性能的影响 | 第44-46页 |
| 3.2.3 溅射时间对GZO薄膜电学性能的影响 | 第46-48页 |
| 3.2.4 GZO薄膜的XPS分析 | 第48-49页 |
| 3.2.5 沉积时间对GZO薄膜禁带宽度的影响 | 第49-50页 |
| 3.2.6 小结 | 第50-51页 |
| 3.3 溅射功率对GZO薄膜性能的影响 | 第51-55页 |
| 3.3.1 溅射功率对GZO薄膜结构性能的影响 | 第51-53页 |
| 3.3.2 溅射功率对GZO薄膜光学性能的影响 | 第53-54页 |
| 3.3.3 溅射功率对GZO薄膜电学性能的影响 | 第54-55页 |
| 3.3.4 小结 | 第55页 |
| 3.4 沉积气压对GZO薄膜的影响 | 第55-60页 |
| 3.4.1 沉积气压对GZO薄膜结构性能的影响 | 第55-57页 |
| 3.4.2 沉积气压对GZO薄膜光学性能的影响 | 第57-58页 |
| 3.4.3 沉积气压对GZO薄膜电学性能的影响 | 第58-59页 |
| 3.4.4 小结 | 第59-60页 |
| 第4章 ZnO缓冲层对GZO薄膜性能的影响 | 第60-67页 |
| 4.1 ZnO缓冲层对GZO薄膜结构性能的影响 | 第60-64页 |
| 4.2 ZnO缓冲层对GZO薄膜光电性能的影响 | 第64-66页 |
| 4.3 本章小结 | 第66-67页 |
| 第5章 总结与展望 | 第67-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-77页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第77页 |