| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第10-11页 |
| 缩略语对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-22页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 二硫化钨概述 | 第14-16页 |
| 1.3 国内外研究现状分析 | 第16-19页 |
| 1.4 本文的研究目的及工作安排 | 第19-22页 |
| 第二章 单层二硫化钨的制备及其表征 | 第22-32页 |
| 2.1 单层二硫化钨制备方法简介 | 第22-23页 |
| 2.2 实验设备与实验材料 | 第23-25页 |
| 2.2.1 实验设备 | 第23-24页 |
| 2.2.2 实验材料 | 第24-25页 |
| 2.3 CVD实验过程 | 第25-26页 |
| 2.3.1 实验前预处理 | 第25页 |
| 2.3.2 实验过程 | 第25-26页 |
| 2.4 单层二硫化钨的表征 | 第26-31页 |
| 2.4.1 光学显微镜 | 第26-27页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜 | 第27-28页 |
| 2.4.3 透射电子显微镜 | 第28页 |
| 2.4.4 原子力显微镜 | 第28-29页 |
| 2.4.5 拉曼光谱 | 第29-30页 |
| 2.4.6 光致发光谱 | 第30-31页 |
| 2.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 第一性原理方法简介 | 第32-40页 |
| 3.1 第一性原理概述 | 第32-34页 |
| 3.2 密度泛函理论 | 第34-37页 |
| 3.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第34-35页 |
| 3.2.2 Kohn-Sham方程 | 第35-36页 |
| 3.2.3 交换关联泛函 | 第36-37页 |
| 3.3 平面波与赝势 | 第37-38页 |
| 3.4 相关软件介绍 | 第38-39页 |
| 3.5 本章小结 | 第39-40页 |
| 第四章 氧掺杂对本征单层二硫化钨结构及电子特性的影响 | 第40-52页 |
| 4.1 氧掺杂模型与计算细节 | 第40-42页 |
| 4.2 计算结果与分析 | 第42-46页 |
| 4.2.1 几何结构与能量 | 第42-43页 |
| 4.2.2 能带结构与态密度 | 第43-45页 |
| 4.2.3 电荷密度 | 第45-46页 |
| 4.3 不同掺杂浓度对单层二硫化钨电子特性的影响 | 第46-49页 |
| 4.4 本章小结 | 第49-52页 |
| 第五章 氧掺杂对含缺陷单层二硫化钨结构及电子特性的影响 | 第52-64页 |
| 5.1 单层二硫化钨缺陷的介绍 | 第52-53页 |
| 5.2 计算模型与细节 | 第53-55页 |
| 5.3 计算结果与分析 | 第55-62页 |
| 5.3.1 几何结构与能量 | 第55-57页 |
| 5.3.2 能带结构与态密度 | 第57-61页 |
| 5.3.3 电荷密度 | 第61-62页 |
| 5.4 本章小结 | 第62-64页 |
| 第六章 总结与展望 | 第64-66页 |
| 6.1 全文总结 | 第64-65页 |
| 6.2 本文的不足以及未来工作的展望 | 第65-66页 |
| 6.2.1 本文的不足 | 第65页 |
| 6.2.2 未来工作的展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 作者简介 | 第74-75页 |