| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第13-26页 |
| 1.1 阻变存储器概述 | 第13-14页 |
| 1.2 阻变存储器材料体系和工作原理 | 第14-16页 |
| 1.2.1 阻变存储器的材料体系 | 第14页 |
| 1.2.2 阻变存储器的工作原理 | 第14-16页 |
| 1.3 阻变存储器机理 | 第16-18页 |
| 1.3.1 金属原子导电细丝阻变机制 | 第16-18页 |
| 1.3.2 氧空位导电细丝阻变机制 | 第18页 |
| 1.4 阻变存储器性能参数 | 第18-19页 |
| 1.5 器件的免激活特性简介 | 第19-22页 |
| 1.6 本文主要研究内容 | 第22-23页 |
| 参考文献 | 第23-26页 |
| 第二章 薄膜生长和和表征技术 | 第26-34页 |
| 2.1 薄膜生长技术 | 第26-30页 |
| 2.1.1 原子层沉积 | 第26-29页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第29-30页 |
| 2.2 薄膜的表征方法 | 第30-33页 |
| 2.2.1 原子力显微镜 | 第30-31页 |
| 2.2.2 俄歇电子能谱 | 第31页 |
| 2.2.3 X射线反射谱 | 第31页 |
| 2.2.4 电学性能测试 | 第31-33页 |
| 参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 原子层沉积生长氮氧化铝和氧化铝薄膜性质表征 | 第34-46页 |
| 3.1 原子层沉积生长AlN_xO_y薄膜及性质研究 | 第34-41页 |
| 3.1.1 衬底硅片清洗 | 第34-35页 |
| 3.1.2 AlN_xO_y薄膜的生长 | 第35-36页 |
| 3.1.3 AlN_xO_y薄膜厚度和晶态表征 | 第36-37页 |
| 3.1.4 AlN_xO_y薄膜的表面形貌分析 | 第37-38页 |
| 3.1.5 AlN_xO_y薄膜组分分析 | 第38-40页 |
| 3.1.6 AlN_xO_y薄膜的电学性能分析 | 第40-41页 |
| 3.2 原子层沉积生长氧化铝薄膜及性质研究 | 第41-43页 |
| 3.2.1 硅基衬底的清洗和薄膜的生长 | 第42页 |
| 3.2.2 氧化铝薄膜厚度和表面形貌表征 | 第42-43页 |
| 3.3 本章小结 | 第43-45页 |
| 参考文献 | 第45-46页 |
| 第四章 AlN_xO_y薄膜阻变特性研究 | 第46-63页 |
| 4.1 上电极材料对AlN_xO_y薄膜阻变特性的影响 | 第46-50页 |
| 4.1.1 阻变器件的制备 | 第46-47页 |
| 4.1.2 阻变器件电阻转变特性 | 第47-50页 |
| 4.2 生长温度对AlN_xO_y薄膜阻变特性的影响 | 第50页 |
| 4.3 薄膜厚度对AlN_xO_y阻变特性的影响 | 第50-54页 |
| 4.4 Ag纳米插层对AlN_xO_y阻变器件性能的影响 | 第54-57页 |
| 4.5 Ag/AlN_xO_y/Pt阻变器件低温测试和机理分析 | 第57-60页 |
| 4.5.1 Ag/AlN_xO_y/Pt阻变器件低温测试 | 第57-58页 |
| 4.5.2 Ag/AlN_xO_y/Pt阻变器件机理分析 | 第58-60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第五章 总结和展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
