| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 序言 | 第11-12页 |
| 1.2 拓扑半金属 | 第12-13页 |
| 1.2.1 Dirac半金属 | 第12页 |
| 1.2.2 Weyl半金属 | 第12-13页 |
| 1.3 磁阻效应 | 第13-14页 |
| 1.4 霍尔效应 | 第14页 |
| 1.5 代表性拓扑半金属材料简介 | 第14-18页 |
| 1.5.1 WTe_2材料 | 第14-16页 |
| 1.5.2 TaAs家族 | 第16-17页 |
| 1.5.3 XPn_2型拓扑半金属家族 | 第17-18页 |
| 第二章 实验方法 | 第18-23页 |
| 2.1 实验药品和仪器 | 第18页 |
| 2.1.1 实验药品 | 第18页 |
| 2.1.2 实验仪器 | 第18页 |
| 2.2 样品制备方法及流程 | 第18-20页 |
| 2.2.1 MoAs_2制备方法 | 第18-19页 |
| 2.2.1.1 固相反应法 | 第19页 |
| 2.2.1.2 化学气相输运法 | 第19页 |
| 2.2.2 TaSb_2制备方法 | 第19-20页 |
| 2.2.3 实验流程 | 第20页 |
| 2.3 材料表征方法和物性测量方法 | 第20-23页 |
| 2.3.1 XRD衍射 | 第20-21页 |
| 2.3.2 综合物性测量系统(PPMS-9) | 第21-23页 |
| 第三章 拓扑半金属TaSb_2的各向异性磁阻 | 第23-29页 |
| 3.1 引言 | 第23-24页 |
| 3.2 实验结果与讨论 | 第24-28页 |
| 3.2.1 TaSb_2的不同晶向的电阻率 | 第24-25页 |
| 3.2.2 TaSb_2不同晶向的磁阻 | 第25-26页 |
| 3.2.3 TaSb_2中的Kohler定理 | 第26-27页 |
| 3.2.4 TaSb_2中的角磁阻 | 第27-28页 |
| 3.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 拓扑半金属MoAs_2的输运行为 | 第29-40页 |
| 4.1 引言 | 第29-30页 |
| 4.2 实验结果与讨论 | 第30-39页 |
| 4.2.1 MoAs_2的晶体结构及表征 | 第30-31页 |
| 4.2.2 MoAs_2的电阻率平台和Kohler定理 | 第31-33页 |
| 4.2.3 MoAs_2不同晶向的磁阻 | 第33-35页 |
| 4.2.4 MoAs_2的霍尔效应 | 第35-36页 |
| 4.2.5 MoAs_2的霍尔电导率、载流子浓度和迁移率 | 第36-37页 |
| 4.2.6 MoAs_2的负磁阻讨论 | 第37-38页 |
| 4.2.7 MoAs_2的角磁阻和压力下的输运特性 | 第38-39页 |
| 4.3 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-47页 |
| 科研成果 | 第47页 |
