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基于DDR3接口的闪存固态盘技术研究

摘要第9-10页
ABSTRACT第10页
第一章 绪论第11-22页
    1.1 研究背景第11-18页
        1.1.1 信息存储技术面临的挑战第11-13页
        1.1.2 闪存技术的发展现状第13-15页
        1.1.3 闪存固态盘及其接口技术的发展现状第15-18页
    1.2 国内外研究现状第18-20页
    1.3 研究内容和意义第20-21页
        1.3.1 研究内容第20页
        1.3.2 研究意义第20-21页
    1.4 论文结构与组织第21-22页
第二章 DDR3内存总线协议分析第22-35页
    2.1 CPU的访存路径第22-24页
    2.2 DDR3SDRAM工作原理第24-30页
        2.2.1 DDR3的技术特征第24-26页
        2.2.2 DDR3工作状态转移第26-27页
        2.2.3 DDR3初始化和校准流程第27-30页
    2.3 DDR3总线协议操作时序第30-34页
        2.3.1 访存时序参数第30-31页
        2.3.2 读访存操作时序第31-32页
        2.3.3 写访存操作时序第32-34页
    2.4 本章小结第34-35页
第三章 基于DDR3接口的闪存固态盘结构设计第35-50页
    3.1 闪存固态盘总体结构设计第35-39页
        3.1.1 设计特点第35-36页
        3.1.2 总体结构设计第36-37页
        3.1.3 固态盘硬件配置第37-39页
    3.2 系统工作机制第39-41页
    3.3 主控制器关键模块设计与分析第41-49页
        3.3.1 DDR3接口交互机制设计第41-43页
        3.3.2 DRAM缓存控制机制设计第43-46页
        3.3.3 eMMC控制机制设计第46-49页
    3.4 本章小结第49-50页
第四章 DDR3接口控制器的设计与验证第50-69页
    4.1 DDR3接口控制器设计关键问题第50-51页
    4.2 DDR3接口控制器结构设计第51-53页
    4.3 DDR3接口控制器的实现第53-60页
        4.3.1 时钟网络第54页
        4.3.2 写平衡第54-56页
        4.3.3 流水延时控制第56-58页
        4.3.4 接口I/O源同步控制第58-59页
        4.3.5 命令和数据缓冲机制第59-60页
    4.4 实验测试与结果分析第60-68页
        4.4.1 实验测试环境第60-61页
        4.4.2 测试激励设计第61-64页
        4.4.3 正确性验证第64-65页
        4.4.4 读写性能结果与分析第65-68页
    4.5 本章小结第68-69页
第五章 总结与展望第69-71页
    5.1 工作总结第69-70页
    5.2 工作展望第70-71页
致谢第71-73页
参考文献第73-76页
作者在学期间取得的学术成果第76页

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