| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 1 绪论 | 第7-23页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 太阳电池发展和主要分类 | 第8-13页 |
| 1.2.1 硅太阳电池 | 第8-10页 |
| 1.2.2 化合物薄膜太阳电池 | 第10-11页 |
| 1.2.3 第三代新型太阳电池 | 第11-13页 |
| 1.3 太阳电池的基本理论 | 第13-18页 |
| 1.3.1 太阳电池原理 | 第13-14页 |
| 1.3.2 太阳电池输出特性 | 第14-18页 |
| 1.4 Sb_2Se_3薄膜太阳电池简介 | 第18-22页 |
| 1.4.1 硒化锑材料特性 | 第18-20页 |
| 1.4.2 硒化锑太阳电池研究进展 | 第20-21页 |
| 1.4.3 硒化锑薄膜基本制备方法 | 第21-22页 |
| 1.5 本课题研究内容和创新点 | 第22-23页 |
| 2 实验设备和基本原理 | 第23-31页 |
| 2.1 制备设备 | 第23-25页 |
| 2.1.1 近空间升华设备 | 第23-24页 |
| 2.1.2 磁控溅射设备 | 第24-25页 |
| 2.2 表征设备 | 第25-30页 |
| 2.2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第25-26页 |
| 2.2.2 I-V测试系统 | 第26-27页 |
| 2.2.3 外量子效率(IPEC)测试设备 | 第27-28页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜(SEM) | 第28-29页 |
| 2.2.5 原子力显微镜(AFM) | 第29页 |
| 2.2.6 紫外-可见-近红外分光光度计 | 第29-30页 |
| 2.3 本章小结 | 第30-31页 |
| 3 Sb_2Se_3薄膜太阳电池制备与研究 | 第31-46页 |
| 3.1 CdS缓冲层的制备及表征 | 第31-35页 |
| 3.1.1 化学水浴法制备CdS缓冲层 | 第31-33页 |
| 3.1.2 CdS薄膜的CdCl2热处理 | 第33-34页 |
| 3.1.3 CdS薄膜的表征及结果分析 | 第34-35页 |
| 3.2 Sb_2Se_3吸收层的制备及表征 | 第35-39页 |
| 3.2.1 Sb_2Se_3薄膜的制备 | 第36页 |
| 3.2.2 厚度对Sb_2Se_3薄膜的影响 | 第36-37页 |
| 3.2.3 Sb_2Se_3薄膜的表征及结果分析 | 第37-39页 |
| 3.3 Sb_2Se_3太阳电池器件研究 | 第39-40页 |
| 3.4 Sb_2Se_3薄膜太阳电池漏电研究 | 第40-45页 |
| 3.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 4 包含SnO_2高阻缓冲层的电池制备与研究 | 第46-54页 |
| 4.1 SnO_2在薄膜太阳电池中的应用 | 第46-47页 |
| 4.2 射频反应溅射SnO_2薄膜 | 第47-49页 |
| 4.3 SnO_2薄膜的表征及结果分析 | 第49-50页 |
| 4.4 加入SnO_2高阻层后的电池器件研究 | 第50-52页 |
| 4.5 不同温度下的有无SnO_2高阻层的Sb_2Se_3太阳电池的性能对比 | 第52-53页 |
| 4.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 总结与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 总结 | 第54页 |
| 5.2 展望 | 第54-56页 |
| 参考文献 | 第56-61页 |
| 致谢 | 第61页 |