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掺杂铌酸锂体全息存储研究

摘要第4-6页
abstract第6-7页
第1章 绪论第11-19页
    1.1 体全息存储技术概述第11-14页
        1.1.1 体全息存储技术的背景及意义第11-12页
        1.1.2 体全息存储技术的发展及现状第12-14页
    1.2 铌酸锂晶体体全息存储研究第14-17页
        1.2.1 铌酸锂晶体的特点第14-15页
        1.2.2 铌酸锂晶体的掺杂特性第15-16页
        1.2.3 铌酸锂晶体的全息存储研究现状第16-17页
    1.3 本论文主要研究内容第17-19页
第2章 体全息存储的基本原理与技术第19-31页
    2.1 光折变效应及其动力学方程第19-23页
        2.1.1 光折变效应第19-21页
        2.1.2 动力学方程第21-23页
    2.2 二波耦合和衍射效率第23-26页
        2.2.1 二波耦合第23-24页
        2.2.2 衍射效率第24-26页
    2.3 体全息存储相关技术第26-31页
        2.3.1 复用技术第26-29页
        2.3.2 固定技术第29-30页
        2.3.3 曝光技术第30-31页
第3章 体全息存储特性及其实验探究第31-42页
    3.1 实验核心器件介绍第31-33页
    3.2 全息存储材料主要特性参数第33-35页
    3.3 光致散射性能测试第35-39页
        3.3.1 光致散射性能测试光路第35-36页
        3.3.2 测试结果及分析第36-39页
    3.4 衍射效率测试第39-41页
        3.4.1 衍射效率测试光路第39-40页
        3.4.2 测量结果与分析第40-41页
    3.5 本章小结第41-42页
第4章 体全息存储实验第42-51页
    4.1 体全息存储方式介绍第42-43页
    4.2 透射式全息存储实验第43-45页
        4.2.1 透射式全息存储光路设计第43-44页
        4.2.2 实验结果及分析第44-45页
    4.3 反射式全息存储实验探究第45-49页
        4.3.1 大角度光致散射测试第45-47页
        4.3.2 反射式全息存储实验光路设计第47-48页
        4.3.3 实验结果与分析第48-49页
    4.4 全息存储噪声分析第49-50页
    4.5 本章小结第50-51页
论文总结第51-53页
参考文献第53-58页
致谢第58页

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