羰基硫加氢脱除催化剂的制备与性能研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 引言 | 第10-11页 |
| 1 文献综述 | 第11-22页 |
| ·研究背景 | 第11-12页 |
| ·羰基硫的脱除方法 | 第12-16页 |
| ·水解法 | 第13-14页 |
| ·吸收法 | 第14-15页 |
| ·吸附法 | 第15-16页 |
| ·加氢转化法 | 第16页 |
| ·加氢脱硫催化剂的研究现状 | 第16-21页 |
| ·负载型催化剂 | 第16-18页 |
| ·金属氧化物载体 | 第17-18页 |
| ·炭载体 | 第18页 |
| ·非负载型金属氧化物催化剂 | 第18-21页 |
| ·稀土氧化物 | 第19页 |
| ·过渡金属氧化物 | 第19-20页 |
| ·纳米金属氧化物的常用制备方法 | 第20-21页 |
| ·论文主要研究内容 | 第21-22页 |
| 2 实验部分 | 第22-28页 |
| ·实验材料及设备仪器 | 第22-24页 |
| ·实验材料 | 第22-23页 |
| ·实验设备 | 第23页 |
| ·分析仪器 | 第23-24页 |
| ·样品的制备 | 第24页 |
| ·样品表征 | 第24-26页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第24页 |
| ·比表面积、孔分布测定 | 第24-25页 |
| ·XRF表征 | 第25页 |
| ·SEM/FESEM表征 | 第25页 |
| ·TEM表征 | 第25页 |
| ·FTIR表征 | 第25-26页 |
| ·样品的加氢催化转化活性评价 | 第26-28页 |
| ·COS加氢催化转化实验装置 | 第26页 |
| ·气相色谱分析 | 第26页 |
| ·脱硫活性评价 | 第26-28页 |
| 3 纳米氧化铈的控制合成及其脱除COS性能研究 | 第28-36页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·实验部分 | 第28-29页 |
| ·纳米氧化铈的控制合成 | 第28-29页 |
| ·脱硫活性评价 | 第29页 |
| ·结果与讨论 | 第29-35页 |
| ·纳米氧化铈的XRD谱图 | 第29-30页 |
| ·纳米氧化铈的TEM、SEM图 | 第30-31页 |
| ·不同形貌氧化铈的脱硫性能对比 | 第31-32页 |
| ·纳米氧化铈的BET表征 | 第32页 |
| ·纳米多面体颗粒氧化铈的脱硫机理 | 第32-35页 |
| ·氧化铈的恒温脱硫性能 | 第32-33页 |
| ·氧化铈COS-TPD研究 | 第33-34页 |
| ·氧化铈的脱硫机理 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 4 纳米氧化钴的控制合成及其脱除COS性能研究 | 第36-48页 |
| ·引言 | 第36页 |
| ·实验部分 | 第36-37页 |
| ·纳米氧化钴的控制合成 | 第36-37页 |
| ·脱硫活性评价 | 第37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-47页 |
| ·预硫化条件对催化脱硫活性的影响 | 第37-39页 |
| ·氧化钴的XRD表征 | 第39-40页 |
| ·氧化钴的FE-SEM和TEM表征 | 第40-42页 |
| ·不同形貌硫化态氧化钴的脱硫性能 | 第42-43页 |
| ·晶面效应在脱硫过程中的作用分析 | 第43-47页 |
| ·氧化钴的预硫化穿透曲线及组成分析 | 第43-45页 |
| ·BET测试与分析 | 第45-46页 |
| ·H_2-TPR研究 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-48页 |
| 5 负载型Pd催化剂脱除COS性能研究 | 第48-63页 |
| ·引言 | 第48页 |
| ·Pd/CeO_2催化剂的制备及其脱硫性能 | 第48-51页 |
| ·Pd/CeO_2催化剂的制备 | 第48页 |
| ·催化剂的XRD表征 | 第48-49页 |
| ·催化剂的脱硫活性 | 第49-51页 |
| ·Pd/C催化剂的制备及其脱硫性能 | 第51-62页 |
| ·Pd/C催化剂的制备 | 第51-52页 |
| ·实验结果与讨论 | 第52-62页 |
| ·炭载体的微观形貌 | 第52-53页 |
| ·炭载体表面含氧基团的定性分析(FT-IR) | 第53-54页 |
| ·炭载体的比表面积与孔径分布 | 第54-56页 |
| ·Pd/C催化剂的表征 | 第56-57页 |
| ·Pd/C催化剂脱硫活性比较 | 第57-61页 |
| ·Pd/C催化剂稳定性评价 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
