| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 单行载流子光电探测器（UTC-PD） | 第10-12页 |
| 1.3 半导体加工工艺 | 第12-13页 |
| 1.4 本文研究内容 | 第13-15页 |
| 第二章 UTC-PD设计理论和材料生长及缺陷 | 第15-20页 |
| 2.1 理论基础 | 第15-17页 |
| 2.2 材料生长 | 第17-19页 |
| 2.3 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 大功率高速单行载流子光探测器的制作 | 第20-53页 |
| 3.1 光刻版的设计和制作 | 第20-24页 |
| 3.1.1 光刻版版图的设计 | 第21-24页 |
| 3.2 光刻 | 第24-32页 |
| 3.2.1 HMDS预处理系统 | 第24-25页 |
| 3.2.2 匀胶 | 第25页 |
| 3.2.3 软烘烤 | 第25-26页 |
| 3.2.4 光刻 | 第26-27页 |
| 3.2.5 显影 | 第27-28页 |
| 3.2.6 硬烘烤 | 第28页 |
| 3.2.7 光学检测 | 第28-30页 |
| 3.2.8 光刻过程中的对准所需的分辨率-景深不足 | 第30-32页 |
| 3.3 刻蚀 | 第32-44页 |
| 3.3.1 等离子体刻蚀 | 第32-33页 |
| 3.3.2 刻蚀工艺原理 | 第33-37页 |
| 3.3.3 感应耦合等离子体（ICP） | 第37-38页 |
| 3.3.4 刻蚀终点和去光刻胶 | 第38-40页 |
| 3.3.5 刻蚀过程中脊型波导两侧生成了不良聚合物 | 第40-44页 |
| 3.4 电极制作 | 第44-45页 |
| 3.5 杂质的去除和清洗 | 第45-49页 |
| 3.6 解理（切片）和抛光 | 第49-52页 |
| 3.6.1 表面抛光 | 第49-52页 |
| 3.7 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 数据测试 | 第53-57页 |
| 4.1 测试平台 | 第53-56页 |
| 4.2 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 总结和展望 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-63页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第63-64页 |