摘要 | 第3-4页 |
abstract | 第4-5页 |
第1章 绪论 | 第9-16页 |
1.1 研究目的和意义 | 第9-10页 |
1.2 国内外研究现状 | 第10-14页 |
1.2.1 国外白光中子源装置简介 | 第11-13页 |
1.2.2 国内中子源装置简介 | 第13-14页 |
1.3 主要研究内容 | 第14-16页 |
第2章 大气中子辐照效应 | 第16-24页 |
2.1 地球大气层辐射环境 | 第16-18页 |
2.1.1 大气辐射场的组成 | 第16-17页 |
2.1.2 白光中子辐射场形成原因 | 第17页 |
2.1.3 大气中子辐照场的特点 | 第17-18页 |
2.2 大气中子辐射场的测量及能谱 | 第18-21页 |
2.2.1 国际上大气中子辐射场测量 | 第18-20页 |
2.2.2 JEDEC标准能谱及IEC标准能谱 | 第20-21页 |
2.3 中子辐照效应 | 第21-24页 |
2.3.1 电子学器件辐照效应机制 | 第22页 |
2.3.2 辐照效应的分类及其特点 | 第22-24页 |
第3章 仿真大气白光中子束流产生 | 第24-39页 |
3.1 中国散裂中子源 | 第24-31页 |
3.1.1 CSNS质子加速器简介 | 第24-29页 |
3.1.2 CSNS第一靶站 | 第29-31页 |
3.2 CSNS的质子打靶模拟 | 第31-37页 |
3.2.1 CSNS靶结构 | 第31-32页 |
3.2.2 FLUKA简介 | 第32页 |
3.2.3 白光中子束流特点 | 第32-37页 |
3.3 与标准大气能谱对比 | 第37-38页 |
3.4 本章小结 | 第38-39页 |
第4章 CSNS白光中子束仿真度评估 | 第39-46页 |
4.1 芯片单粒子翻转截面 | 第39-40页 |
4.1.1 Weibull公式 | 第39页 |
4.1.2 不同芯片的Weibull参数及截面图 | 第39-40页 |
4.2 单粒子翻转率的计算 | 第40-45页 |
4.2.1 典型芯片Weibull参数 | 第41页 |
4.2.2 加速器因子 | 第41-42页 |
4.2.3 CSNS能谱与其它能谱计算的翻转率比较 | 第42-45页 |
4.3 本章小结 | 第45-46页 |
第5章 白光中子束的本底分析 | 第46-55页 |
5.1 CSNS白光中子束本底情况 | 第46页 |
5.2 束流去本底的几种方法及其可行性 | 第46-48页 |
5.2.1 带电粒子本底的去除 | 第46-47页 |
5.2.2 中性粒子的本底去除 | 第47-48页 |
5.3 过滤片选择 | 第48-54页 |
5.3.1 材料选择 | 第49-50页 |
5.3.2 厚度选择 | 第50-51页 |
5.3.3 对中子能谱的影响 | 第51-54页 |
本章小结 | 第54-55页 |
第6章 白光中子束的流强控制及束斑放大 | 第55-65页 |
6.1 降低流强的方法 | 第55页 |
6.2 选择散射片及准直孔径对束流能谱影响 | 第55-57页 |
6.2.1 散射片厚度流强及能谱的影响 | 第55-56页 |
6.2.2 准直器孔径对流强的影响 | 第56-57页 |
6.3 中子束束斑放大 | 第57-64页 |
6.3.1 选择散射片 | 第57-59页 |
6.3.2 不同形状散射片散射效果 | 第59-62页 |
6.3.3 扩束后的中子能谱 | 第62-63页 |
6.3.4 扩束后的束斑纯度 | 第63-64页 |
6.4 本章小结 | 第64-65页 |
第7章 总结与展望 | 第65-66页 |
7.1 总结 | 第65页 |
7.2 展望 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-69页 |
科研情况说明 | 第69-70页 |
致谢 | 第70-71页 |