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多孔低介电聚酰亚胺薄膜的制备及其性能表征

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第10-22页
    1.1 课题背景和意义第10-13页
    1.2 国内外研究现状及分析第13-20页
        1.2.1 聚酰亚胺研究概况第13-15页
        1.2.2 低介电聚酰亚胺研究现状第15-20页
    1.3 本文主要研究内容第20-22页
第2章 实验材料及分析方法第22-26页
    2.1 实验药品第22-23页
    2.2 实验仪器及设备第23页
    2.3 实验表征与测试方法第23-24页
    2.4 性能测试手段第24-26页
        2.4.1 介电常数和介电损耗第24页
        2.4.2 热重分析第24页
        2.4.3 差示扫描量热分析第24-25页
        2.4.4 力学性能测试第25-26页
第3章 聚酰胺酸的合成及酰亚胺化第26-38页
    3.1 引言第26-27页
    3.2 实验部分第27-29页
        3.2.1 聚酰胺酸(PAA)的合成第27页
        3.2.2 聚酰胺酸分子量表征第27-28页
        3.2.3 聚酰胺酸叔胺盐(PAAS)合成第28-29页
        3.2.4 聚酰亚胺合成第29页
        3.2.5 表征方法第29页
    3.3 结果与讨论第29-36页
        3.3.1 聚酰胺酸的分子量第29-30页
        3.3.2 聚酰胺酸叔胺盐制备第30-32页
        3.3.3 热酰亚胺化第32-35页
        3.3.4 化学酰亚胺化第35-36页
    3.4 本章小结第36-38页
第4章 多孔PI薄膜的制备及表征第38-60页
    4.1 引言第38页
    4.2 实验部分第38-40页
        4.2.1 SiO_2 微球的制备第38-39页
        4.2.2 SiO_2 微球的表面氨基化第39页
        4.2.4 SiO_2/PI复合薄膜的制备第39页
        4.2.5 SiO_2/PI复合薄膜中Si O2 的刻蚀第39页
        4.2.6 表征方法第39-40页
    4.3 结果与讨论第40-58页
        4.3.1 SiO_2 微球和氨基化修饰的Si O2 微球第40-44页
        4.3.2 SiO_2/PI复合薄膜、多孔PI薄膜第44-58页
    4.4 本章小结第58-60页
第5章 氧化石墨烯(GO)/PI多孔复合薄膜第60-76页
    5.1 引言第60-61页
    5.2 实验部分第61-63页
        5.2.1 氧化石墨烯的制备第61页
        5.2.2 氧化石墨烯的氨基化修饰第61-62页
        5.2.3 GO/PI复合薄膜第62页
        5.2.4 GO/PI多孔复合薄膜的制备第62页
        5.2.5 表征方法第62-63页
    5.3 结果与讨论第63-75页
        5.3.1 氧化石墨烯和ODA修饰的氧化石墨烯第63-69页
        5.3.2 GO/PI复合薄膜和GO/PI多孔复合薄膜第69-75页
    5.4 本章小结第75-76页
结论第76-77页
参考文献第77-81页
攻读硕士学位期间成果第81-83页
致谢第83页

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