| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 引言 | 第17-19页 |
| 第2章 文献综述 | 第19-55页 |
| 2.1 碳化硅陶瓷简介 | 第19页 |
| 2.2 碳化硅的晶体结构 | 第19-22页 |
| 2.3 碳化硅材料的性能 | 第22-24页 |
| 2.4 碳化硅陶瓷的应用领域 | 第24-27页 |
| 2.5 碳化硅陶瓷粉体的分散 | 第27-30页 |
| 2.6 碳化硅陶瓷的致密化烧结方法 | 第30-32页 |
| 2.7 碳化硅陶瓷的力学性能研究 | 第32-34页 |
| 2.8 碳化硅陶瓷的电学性能研究 | 第34-52页 |
| 2.8.1 掺杂对碳化硅导电性能的影响 | 第34-39页 |
| 2.8.2 晶界对碳化硅导电性能的影响 | 第39-42页 |
| 2.8.3 形成复相陶瓷对导电性能的影响 | 第42-45页 |
| 2.8.4 SiC陶瓷的导电机理 | 第45-48页 |
| 2.8.5 陶瓷电学性能的研究方法 | 第48-52页 |
| 2.9 课题提出的意义及研究内容 | 第52-55页 |
| 第3章 测试与表征 | 第55-59页 |
| 3.1 实验原料和设备 | 第55页 |
| 3.2 样品的测试和表征 | 第55-59页 |
| 3.2.1 相组成分析 | 第55-56页 |
| 3.2.2 体积密度及气孔率 | 第56页 |
| 3.2.3 显微形貌分析 | 第56页 |
| 3.2.4 界面显微结构分析 | 第56页 |
| 3.2.5 直流电阻率 | 第56-57页 |
| 3.2.6 阻抗性能测试 | 第57页 |
| 3.2.7 弯曲强度 | 第57页 |
| 3.2.8 弹性模量 | 第57页 |
| 3.2.9 维氏硬度 | 第57页 |
| 3.2.10 断裂韧性 | 第57-59页 |
| 第4章 常压固相烧结制备ZrB2/SiC复相陶瓷 | 第59-91页 |
| 4.1 引言 | 第59-60页 |
| 4.2 ZrB2含量对ZrB2/SiC基复相陶瓷性能的影响 | 第60-77页 |
| 4.2.1 材料制备过程 | 第60-61页 |
| 4.2.2 相组成和微观结构 | 第61-64页 |
| 4.2.3 密度和力学性能 | 第64-66页 |
| 4.2.4 阻抗性能：Nyquist曲线 | 第66-70页 |
| 4.2.5 常温下的伏安特性 | 第70-74页 |
| 4.2.6 不同温度下的伏安特性 | 第74-76页 |
| 4.2.7 晶粒与晶界的伏安特性 | 第76-77页 |
| 4.3 烧结温度对ZrB2/SiC基复相陶瓷的影响 | 第77-90页 |
| 4.3.1 材料制备过程 | 第78页 |
| 4.3.2 相组成和微观结构 | 第78-82页 |
| 4.3.3 密度和力学性能 | 第82-83页 |
| 4.3.4 伏安特性 | 第83-85页 |
| 4.3.5 阻抗性能：Nyquist曲线 | 第85-90页 |
| 4.4 本章小结 | 第90-91页 |
| 第5章 液相烧结制备SiC陶瓷及其性能研究 | 第91-115页 |
| 5.1 引言 | 第91页 |
| 5.2 常压液相烧结SiC陶瓷性能 | 第91-104页 |
| 5.2.1 材料制备过程 | 第91-92页 |
| 5.2.2 粉体的分散对相组成和微观结构的影响 | 第92-95页 |
| 5.2.3 粉体的分散对电学性能的影响 | 第95-97页 |
| 5.2.4 烧结温度对相组成和微观结构 | 第97-99页 |
| 5.2.5 烧结温度对力学性能的影响 | 第99-102页 |
| 5.2.6 烧结温度对伏安特性的影响 | 第102-104页 |
| 5.3 热压烧结制备GO/SiC复相陶瓷 | 第104-113页 |
| 5.3.1 材料制备过程 | 第105-106页 |
| 5.3.2 相组成和微观结构 | 第106-108页 |
| 5.3.3 力学性能 | 第108-109页 |
| 5.3.4 伏安特性 | 第109-110页 |
| 5.3.5 1800℃退火后的影响 | 第110-113页 |
| 5.4 本章小结 | 第113-115页 |
| 第6章 全文总结和展望 | 第115-119页 |
| 6.1 全文总结 | 第115-117页 |
| 6.2 展望 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-129页 |
| 致谢 | 第129-131页 |
| 作者简介 | 第131-133页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文和研究成果 | 第133页 |