| 摘要 | 第3-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-36页 |
| 1.1 石墨烯 | 第12-17页 |
| 1.1.1 石墨烯的原子结构及能带结构 | 第12-14页 |
| 1.1.2 石墨烯的手征性 | 第14-15页 |
| 1.1.3 石墨烯中狄拉克费米子的朗道量子化 | 第15-16页 |
| 1.1.4 石墨烯中狄拉克费米子的克莱因隧穿 | 第16-17页 |
| 1.2 硅烯 | 第17-25页 |
| 1.2.1 硅烯的理论预言 | 第17-18页 |
| 1.2.2 硅烯的实验合成 | 第18-19页 |
| 1.2.3 硅烯电子结构的表征 | 第19-22页 |
| 1.2.4 硅烯的化学修饰和调控 | 第22-25页 |
| 1.3 其它Ⅳ、Ⅴ主族元素二维材料 | 第25-34页 |
| 1.3.1 锗烯 | 第25-26页 |
| 1.3.2 锡烯 | 第26-27页 |
| 1.3.3 黑磷和蓝磷 | 第27-29页 |
| 1.3.4 砷烯、锑烯和铋烯 | 第29-34页 |
| 1.4 本论文的选题及论文结构 | 第34-36页 |
| 第二章 实验仪器、方法及其基本原理 | 第36-58页 |
| 2.1 实验仪器简介 | 第36-38页 |
| 2.2 超高真空环境的获得与维持 | 第38-42页 |
| 2.3 分子束外延技术 | 第42-47页 |
| 2.3.1 洁净衬底表面的获得 | 第43-45页 |
| 2.3.2 源的准备 | 第45-46页 |
| 2.3.3 外延生长 | 第46-47页 |
| 2.4 扫描隧道显微镜 | 第47-58页 |
| 2.4.1 扫描隧道显微镜的基本原理 | 第48-51页 |
| 2.4.2 微分电导谱 | 第51-52页 |
| 2.4.3 粗逼近系统 | 第52-53页 |
| 2.4.4 针尖的制备和处理 | 第53-58页 |
| 第三章 单层锗烯的制备 | 第58-70页 |
| 3.1 背景介绍 | 第58-59页 |
| 3.2 实验方法和实验参数 | 第59-60页 |
| 3.3 基于Sb(111)表面单层锗烯的生长 | 第60-66页 |
| 3.3.1 衬底的基本性质 | 第60-61页 |
| 3.3.2 温度、覆盖度、形貌 | 第61-63页 |
| 3.3.3 锗烯的结构和与锑衬底间的堆垛方式 | 第63-66页 |
| 3.4 表面“马赛克”式调制的形成 | 第66-68页 |
| 3.5 本章小结 | 第68-70页 |
| 第四章 大面积单层锡烯的生长和电子结构的调控 | 第70-88页 |
| 4.1 背景介绍 | 第70-71页 |
| 4.2 锡烯生长的困难 | 第71-73页 |
| 4.3 选择Sb(111)衬底 | 第73-75页 |
| 4.4 实验方法和实验参数 | 第75页 |
| 4.5 单层锡烯的生长 | 第75-78页 |
| 4.6 锡烯的原子结构和电子性质 | 第78-81页 |
| 4.6.1 锡烯与衬底的AA’堆叠方式 | 第78-79页 |
| 4.6.2 应力导致的锡烯金属化 | 第79-81页 |
| 4.7 应力对锡烯中电子结构的调控 | 第81-86页 |
| 4.7.1 锡烯纳米带中部分能带的移动 | 第81-85页 |
| 4.7.2 锡烯岛中能带移动与应力分布间的关系 | 第85-86页 |
| 4.8 本章小结 | 第86-88页 |
| 第五章 β-(?)×(?)-Bi/Si(111)表面态的Rashba自旋劈裂 | 第88-102页 |
| 5.1 衬底 | 第88-89页 |
| 5.2 Rashba效应 | 第89-90页 |
| 5.3 背景介绍 | 第90-91页 |
| 5.4 实验方法与实验参数 | 第91-93页 |
| 5.5 Bi在Si(111)衬底表面的结构 | 第93-94页 |
| 5.6 表面的驻波 | 第94-96页 |
| 5.7 表面态的来源 | 第96-99页 |
| 5.7.1 能带弯曲 | 第96-98页 |
| 5.7.2 抛物线能带的来源 | 第98-99页 |
| 5.8 Rashba劈裂 | 第99-101页 |
| 5.9 本章小结 | 第101-102页 |
| 第六章 基于半导体Si(111)表面的单层Sn_2Bi蜂窝结构的生长和性质测量 | 第102-118页 |
| 6.1 背景介绍 | 第102-103页 |
| 6.2 实验方法和实验参数 | 第103-105页 |
| 6.3 Sn_2Bi蜂窝结构的生长 | 第105-109页 |
| 6.3.1 蜂窝结构对衬底温度以及元素比例的依赖性 | 第105-108页 |
| 6.3.2 空气中的稳定性 | 第108-109页 |
| 6.4 Sn_2Bi中的二维自由电子气与平带结构 | 第109-115页 |
| 6.4.1 二维自由电子气 | 第109-110页 |
| 6.4.2 平带的发现 | 第110-113页 |
| 6.4.3 平带的来源 | 第113-114页 |
| 6.4.4 异常的电子散射 | 第114-115页 |
| 6.5 本章小结 | 第115-118页 |
| 第七章 对本论文的总结与展望 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-134页 |
| 攻读博士学位期间的学术论文与研究成果 | 第134-136页 |
| 作者简历 | 第136-138页 |
| 致谢 | 第138-140页 |
