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磁控溅射制备PMNT薄膜微结构及性能分析

摘要第5-7页
abstract第7-8页
1.绪论第12-22页
    1.1 铁电体与铁电性第12-16页
        1.1.1 铁电体的发展第12-13页
        1.1.2 铁电体的基本概念第13-16页
    1.2 薄膜的生长第16-17页
        1.2.1 薄膜的生长方式第16页
        1.2.2 影响薄膜生长的因素第16-17页
    1.3 铁电体国内外研究现状第17-19页
        1.3.1 铁电体国内研究现状第18页
        1.3.2 铁电体国外研究现状第18-19页
    1.4 课题主要研究工作第19-22页
        1.4.1 主要研究内容及重点第19页
        1.4.2 课题研究方案第19-21页
        1.4.3 论文章节安排第21-22页
2.PMNT薄膜的制备及表征第22-30页
    2.1 PMNT薄膜的制备方法第22-24页
        2.1.1 溶胶凝胶法第22页
        2.1.2 脉冲激光沉积法第22-23页
        2.1.3 金属化学气相沉积法第23页
        2.1.4 磁控溅射法第23-24页
    2.2 薄膜的结构分析第24-26页
        2.2.1 X射线衍射(XRD)第24-25页
        2.2.2 扫描电子显微镜分析(SEM)第25-26页
    2.3 薄膜电学性能测试第26-30页
        2.3.1 铁电测试第27-28页
        2.3.2 介电测试第28页
        2.3.3 导电性测试第28-30页
3.Si/SiO_2/TiO_2/Pt/LSCO衬底材料的制备及性能分析第30-38页
    3.1 TiO_2缓冲层的制备第30-31页
    3.2 Pt电极层的制备第31-32页
    3.3 制备LSCO外延层第32-35页
        3.3.1 LSCO薄膜生长温度实验第33-34页
        3.3.2 LSCO氧氩流量比实验第34-35页
    3.4 LSCO导电性测试第35-36页
    3.5 本章小结第36-38页
4.制备PMN-0.3PT薄膜第38-47页
    4.1 PMNT退火温度实验第38-40页
        4.1.1 PMNT薄膜XRD测试第38-39页
        4.1.2 PMNT薄膜SEM测试第39-40页
    4.2 PMNT退火时间单因素实验第40-43页
        4.2.1 PMNT薄膜XRD测试第41-42页
        4.2.2 PMNT薄膜SEM测试第42-43页
    4.3 LSCO生长温度对PMNT薄膜的影响第43-45页
        4.3.1 PMNT薄膜XRD测试第43-44页
        4.3.2 PMNT薄膜SEM测试第44-45页
    4.4 本章小结第45-47页
5.PMNT结构单元的制备第47-62页
    5.1 光刻工艺第47-49页
        5.1.2 工艺的前期准备第49页
    5.2 工艺参数正交实验第49-55页
        5.2.1 反转烘单因素实验第50-52页
        5.2.2 曝光时间与显影时间二因素四水平正交实验第52-55页
    5.3 光刻后图形的刻蚀与剥离第55-58页
        5.3.1 刻蚀第55-56页
        5.3.2 湿法腐蚀的工艺流程第56-57页
        5.3.3 湿法腐蚀要求第57页
        5.3.4 湿法刻蚀液的配比第57-58页
    5.4 剥离第58-61页
    5.5 本章小结第61-62页
6.PMN-0.3PT薄膜的电学性能第62-68页
    6.1 介电特性第62-64页
        6.1.1 介电频谱特性第62-63页
        6.1.2 介电温谱特性第63-64页
    6.2 C-V特性第64-65页
    6.3 J-V特性第65-66页
    6.4 电滞回线第66-67页
    6.5 本章小结第67-68页
7.结论第68-70页
参考文献第70-74页
攻读硕士学位期间发表的论文第74-75页
致谢第75-76页

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