| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-39页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 二维材料的缺陷类型和缺陷对其性能的影响 | 第12-18页 |
| 1.2.1 缺陷的类型 | 第12-15页 |
| 1.2.2 缺陷的影响 | 第15-18页 |
| 1.3 缺陷的拉曼光谱研究 | 第18-25页 |
| 1.3.1 石墨烯中缺陷的拉曼光谱表征 | 第18-23页 |
| 1.3.2 TMDs中缺陷的拉曼光谱表征 | 第23-25页 |
| 1.4 缺陷的光致发光光谱表征 | 第25-28页 |
| 1.4.1 缺陷激活的光致发光 | 第25-27页 |
| 1.4.2 光致发光光谱研究TMDs的边界和晶界 | 第27-28页 |
| 1.5 本章总结 | 第28-29页 |
| 1.6 本论文的研究内容和意义 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-39页 |
| 第二章 电子束辐照对单层WSe_2光学和电学性能的影响 | 第39-63页 |
| 2.1 引言 | 第39-41页 |
| 2.2 单层WSe_2样品的制备、表征和处理方法 | 第41-44页 |
| 2.2.1 样品的制备、光学表征和透射电子显微镜表征 | 第41-43页 |
| 2.2.2 电学表征及电子束曝光处理样品 | 第43-44页 |
| 2.3 实验结果及讨论 | 第44-57页 |
| 2.3.1 单层WSe_2中缺陷激活的光致发光 | 第44-48页 |
| 2.3.2 单层WSe_2样品中束缚激子和激活能 | 第48-50页 |
| 2.3.3 单层WSe_2器件中缺陷限制的迁移率 | 第50-52页 |
| 2.3.4 光致发光与迁移率的对应关系 | 第52-56页 |
| 2.3.5 转移电极方式制备化学气相沉积法生长WSe_2器件 | 第56-57页 |
| 2.4 本章总结 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-63页 |
| 第三章 氩等离子体辐照对单层WSe_2的光学性能的影响 | 第63-73页 |
| 3.1 引言 | 第63页 |
| 3.2 单层WSe_2样品的制备、表征及处理的方法 | 第63-64页 |
| 3.3 实验结果与讨论 | 第64-70页 |
| 3.3.1 单层WSe_2中缺陷激活的光致发光 | 第64-66页 |
| 3.3.2 单层WSe_2样品中束缚激子和激活能 | 第66-68页 |
| 3.3.3 分析和讨论 | 第68-70页 |
| 3.4 本章总结 | 第70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 第四章 缺陷对CVD石墨烯的光学和热导性能的影响 | 第73-83页 |
| 4.1 引言 | 第73-74页 |
| 4.2 石墨烯的制备、转移以及表征方法 | 第74页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第74-78页 |
| 4.3.1 化学溶剂残余对石墨烯光学性能的影响 | 第74-77页 |
| 4.3.2 化学溶剂残余对热导性能的影响 | 第77-78页 |
| 4.4 本章总结 | 第78-79页 |
| 参考文献 | 第79-83页 |
| 第五章 总结和展望 | 第83-87页 |
| 5.1 主要研究成果 | 第83-84页 |
| 5.2 展望 | 第84-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 攻读博士期间发表论文 | 第89-90页 |
