| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 引言 | 第10-13页 |
| 第2章 非线性光学耦合波理论 | 第13-20页 |
| 2.1 非线性光学简介 | 第13-15页 |
| 2.2 非线性电极化强度 | 第15-18页 |
| 2.3 非线性光学耦合波方程 | 第18-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 第3章 双光子响应 | 第20-32页 |
| 3.1 双光子吸收 | 第20-25页 |
| 3.2 倍频效应 | 第25-29页 |
| 3.3 场致倍频吸收 | 第29-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-32页 |
| 第4章 电极结构设计及电场模拟 | 第32-43页 |
| 4.1 两种电极结构电场的分布 | 第32-37页 |
| 4.1.1 同心圆形和环形电极结构电场分布 | 第32-35页 |
| 4.1.2 针-板电极结构电场分布 | 第35-37页 |
| 4.2 电场模拟的方法 | 第37-38页 |
| 4.3 电场分布的仿真结果 | 第38-42页 |
| 4.3.1 同心圆形和环形电极结构的电场 | 第38-40页 |
| 4.3.2 针-弧（弓）形电极结构的电场 | 第40-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 半绝缘 GaAs 光电探测器的非线性光响应特性 | 第43-62页 |
| 5.1 GaAs 晶体的结构及其性质 | 第43-45页 |
| 5.2 GaAs 晶体场致等效二阶极化率张量 | 第45-50页 |
| 5.3 半绝缘 GaAs 光电探测器的制作 | 第50-51页 |
| 5.4 半绝缘 GaAs 光电探测器的非线性光响应特性研究 | 第51-61页 |
| 5.4.1 光电流随入射光功率的变化 | 第52-56页 |
| 5.4.2 光电流和暗电流随外加偏压的关系 | 第56-59页 |
| 5.4.3 场致倍频吸收的贡献 | 第59-60页 |
| 5.4.4 探测器光电流的各向异性 | 第60-61页 |
| 5.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第6章 结论与展望 | 第62-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 作者简介及科研成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |