摘要 | 第6-8页 |
Abstract | 第8-9页 |
第1章 绪论 | 第13-24页 |
1.1 课题研究背景 | 第13-15页 |
1.2 硫化镉薄膜的研究进展 | 第15-17页 |
1.2.1 硫化镉简介 | 第15页 |
1.2.2 硫化镉薄膜的应用 | 第15-16页 |
1.2.3 硫化镉薄膜的制备方法 | 第16-17页 |
1.3 氧化亚铜薄膜的研究进展 | 第17-20页 |
1.3.1 氧化亚铜简介 | 第17-18页 |
1.3.2 氧化亚铜薄膜的应用 | 第18页 |
1.3.3 氧化亚铜薄膜的制备方法 | 第18-20页 |
1.4 硫化铜薄膜的研究进展 | 第20-22页 |
1.4.1 硫化铜简介 | 第20页 |
1.4.2 硫化铜的应用 | 第20-21页 |
1.4.3 硫化铜薄膜的制备方法 | 第21-22页 |
1.5 论文选题及主要内容 | 第22-24页 |
第2章 硫化镉薄膜的制备及性能研究 | 第24-43页 |
2.1 引言 | 第24-25页 |
2.2 实验部分 | 第25-27页 |
2.2.1 实验原料及设备 | 第25页 |
2.2.2 样品制备 | 第25-26页 |
2.2.3 测试表征 | 第26-27页 |
2.3 结果与讨论 | 第27-42页 |
2.3.1 不同S/Cd浓度比对制备CdS薄膜的影响 | 第27-31页 |
2.3.2 沉积时间对制备CdS薄膜的影响 | 第31-35页 |
2.3.3 沉积温度对制备CdS薄膜的影响 | 第35-40页 |
2.3.4 多元醇法制备CdS薄膜形成机理的初步探索 | 第40-42页 |
2.4 本章小结 | 第42-43页 |
第3章 氧化亚铜薄膜的制备及性能研究 | 第43-58页 |
3.1 引言 | 第43页 |
3.2 实验部分 | 第43-44页 |
3.2.1 实验原料及设备 | 第43-44页 |
3.2.2 样品制备 | 第44页 |
3.2.3 测试表征 | 第44页 |
3.3 结果与讨论 | 第44-56页 |
3.3.1 铜源浓度对制备Cu_2O薄膜的影响 | 第44-48页 |
3.3.2 沉积时间对制备Cu_2O薄膜的影响 | 第48-52页 |
3.3.3 沉积温度对制备Cu_2O薄膜的影响 | 第52-55页 |
3.3.4 多元醇法制备Cu_2O薄膜形成机理的初步探索 | 第55-56页 |
3.4 本章小结 | 第56-58页 |
第4章 硫化铜薄膜的制备及性能研究 | 第58-77页 |
4.1 引言 | 第58页 |
4.2 实验部分 | 第58-59页 |
4.2.1 实验原料及设备 | 第58-59页 |
4.2.2 样品制备 | 第59页 |
4.2.3 测试表征 | 第59页 |
4.3 结果与讨论 | 第59-75页 |
4.3.1 不同S/Cu浓度比对制备CuS薄膜的影响 | 第59-63页 |
4.3.2 三乙醇胺添加量对制备CuS薄膜的影响 | 第63-66页 |
4.3.3 氨水添加量对制备CuS薄膜的影响 | 第66-70页 |
4.3.4 沉积温度对制备CuS薄膜的影响 | 第70-73页 |
4.3.5 化学浴沉积法制备CuS薄膜形成机理的初步探索 | 第73-75页 |
4.4 本章小结 | 第75-77页 |
结论及展望 | 第77-79页 |
致谢 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-90页 |
攻读硕士期间发表的论文 | 第90页 |