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氧族化合物半导体薄膜的制备及性能研究

摘要第6-8页
Abstract第8-9页
第1章 绪论第13-24页
    1.1 课题研究背景第13-15页
    1.2 硫化镉薄膜的研究进展第15-17页
        1.2.1 硫化镉简介第15页
        1.2.2 硫化镉薄膜的应用第15-16页
        1.2.3 硫化镉薄膜的制备方法第16-17页
    1.3 氧化亚铜薄膜的研究进展第17-20页
        1.3.1 氧化亚铜简介第17-18页
        1.3.2 氧化亚铜薄膜的应用第18页
        1.3.3 氧化亚铜薄膜的制备方法第18-20页
    1.4 硫化铜薄膜的研究进展第20-22页
        1.4.1 硫化铜简介第20页
        1.4.2 硫化铜的应用第20-21页
        1.4.3 硫化铜薄膜的制备方法第21-22页
    1.5 论文选题及主要内容第22-24页
第2章 硫化镉薄膜的制备及性能研究第24-43页
    2.1 引言第24-25页
    2.2 实验部分第25-27页
        2.2.1 实验原料及设备第25页
        2.2.2 样品制备第25-26页
        2.2.3 测试表征第26-27页
    2.3 结果与讨论第27-42页
        2.3.1 不同S/Cd浓度比对制备CdS薄膜的影响第27-31页
        2.3.2 沉积时间对制备CdS薄膜的影响第31-35页
        2.3.3 沉积温度对制备CdS薄膜的影响第35-40页
        2.3.4 多元醇法制备CdS薄膜形成机理的初步探索第40-42页
    2.4 本章小结第42-43页
第3章 氧化亚铜薄膜的制备及性能研究第43-58页
    3.1 引言第43页
    3.2 实验部分第43-44页
        3.2.1 实验原料及设备第43-44页
        3.2.2 样品制备第44页
        3.2.3 测试表征第44页
    3.3 结果与讨论第44-56页
        3.3.1 铜源浓度对制备Cu_2O薄膜的影响第44-48页
        3.3.2 沉积时间对制备Cu_2O薄膜的影响第48-52页
        3.3.3 沉积温度对制备Cu_2O薄膜的影响第52-55页
        3.3.4 多元醇法制备Cu_2O薄膜形成机理的初步探索第55-56页
    3.4 本章小结第56-58页
第4章 硫化铜薄膜的制备及性能研究第58-77页
    4.1 引言第58页
    4.2 实验部分第58-59页
        4.2.1 实验原料及设备第58-59页
        4.2.2 样品制备第59页
        4.2.3 测试表征第59页
    4.3 结果与讨论第59-75页
        4.3.1 不同S/Cu浓度比对制备CuS薄膜的影响第59-63页
        4.3.2 三乙醇胺添加量对制备CuS薄膜的影响第63-66页
        4.3.3 氨水添加量对制备CuS薄膜的影响第66-70页
        4.3.4 沉积温度对制备CuS薄膜的影响第70-73页
        4.3.5 化学浴沉积法制备CuS薄膜形成机理的初步探索第73-75页
    4.4 本章小结第75-77页
结论及展望第77-79页
致谢第79-80页
参考文献第80-90页
攻读硕士期间发表的论文第90页

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