| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-7页 |
| 1 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 研背 | 第11-13页 |
| 1.2 多场作用直拉法硅单晶生长 | 第13-20页 |
| 1.2.1 硅单晶的备方法 | 第14-15页 |
| 1.2.2 Cz法硅单晶生长设备艺 | 第15-17页 |
| 1.2.3 Cz法硅单晶生长的要研内容意 | 第17-18页 |
| 1.2.4 多场作用的Cz法晶体生长 | 第18-20页 |
| 1.3 Cz法晶体生长的数值模拟研展 | 第20-23页 |
| 1.3.1 Cz法晶体生长模型研 | 第21页 |
| 1.3.2 物理模型数值模拟方法在晶体生长中的用 | 第21-22页 |
| 1.3.3 提高晶体品质目的的数值模拟 | 第22-23页 |
| 1.4 晶体生长建模艺参数研展 | 第23-25页 |
| 1.4.1 晶体生长程模型 | 第23-24页 |
| 1.4.2 艺参数调节研 | 第24-25页 |
| 1.5 磁场境晶体生长研展 | 第25-26页 |
| 1.5.1 磁场境晶体生长模拟 | 第25页 |
| 1.5.2 磁场结构设计研 | 第25-26页 |
| 1.6 文要研内容和章节排 | 第26-31页 |
| 1.6.1 要研内容点 | 第26-29页 |
| 1.6.2 论文章节排 | 第29-31页 |
| 2 于格子Boltzmann方法的晶体生长热流耦研 | 第31-53页 |
| 2.1 引言 | 第31-32页 |
| 2.2 格子Boltzmann方法 | 第32-38页 |
| 2.2.1 简述格子Boltzmann方法的起源发展 | 第32-33页 |
| 2.2.2 格子Boltzmann方法的模型 | 第33-35页 |
| 2.2.3 格子Boltzmann方法的边界处理 | 第35-37页 |
| 2.2.4 格子Boltzmann方法的无 | 第37-38页 |
| 2.3 晶体生长热流耦建模 | 第38-45页 |
| 2.3.1 Cz法晶体生长的物理模型 | 第38-40页 |
| 2.3.2 轴旋转的格子Boltzmann模型 | 第40-42页 |
| 2.3.3 热扩散和方角度的格子Boltzmann方程 | 第42-44页 |
| 2.3.4 边界条的设定 | 第44-45页 |
| 2.4 数值计算结析 | 第45-52页 |
| 2.4.1 无参数收敛性准 | 第45-46页 |
| 2.4.2 模型验证 | 第46-48页 |
| 2.4.3 高Gr数晶体生长热流性质析 | 第48-50页 |
| 2.4.4 高Re数和高Gr数耦的流热耦研 | 第50-52页 |
| 2.5 章小结 | 第52-53页 |
| 3 多弛格子Boltzmann方法的晶体生长热溶质混流研 | 第53-79页 |
| 3.1 引言 | 第53-54页 |
| 3.2 多弛格子Boltzmann模型 | 第54-59页 |
| 3.2.1 MRT-LBM的原理 | 第54-56页 |
| 3.2.2 MRT-LB的模型 | 第56-59页 |
| 3.3 外磁场情的晶体生长热熔质输模型 | 第59-67页 |
| 3.3.1 磁场境晶体生长的原理实 | 第59-62页 |
| 3.3.2 于D2Q9MRT-LBM的硅单晶生长流度模型 | 第62-64页 |
| 3.3.3 于D2Q5MRT-LBM的热溶质流方角度模型 | 第64-65页 |
| 3.3.4 于限差法的晶体热模型 | 第65-67页 |
| 3.3.5 参数无边界条 | 第67页 |
| 3.4 数值计算结析 | 第67-76页 |
| 3.4.1 算流程 | 第67-68页 |
| 3.4.2 收敛性标准 | 第68-69页 |
| 3.4.3 模型验证 | 第69-72页 |
| 3.4.4 Re数热溶质流的影响 | 第72-76页 |
| 3.4.5 CUSP磁场浓度的影响 | 第76页 |
| 3.5 章小结 | 第76-79页 |
| 4 直拉法晶体生长艺参数建模多目标 | 第79-107页 |
| 4.1 引言 | 第79-80页 |
| 4.2 于CFD的晶体生长模型数值求解 | 第80-87页 |
| 4.2.1 CFD数值模拟简 | 第80-81页 |
| 4.2.2 Cz法晶体生长维局部模型的建立 | 第81-87页 |
| 4.3 于GMDH的目标函数建模 | 第87-94页 |
| 4.3.1 GMDH算法 | 第87-89页 |
| 4.3.2 艺参数的目标函数 | 第89-90页 |
| 4.3.3 目标函数的GMDH建模 | 第90-94页 |
| 4.4 改NSGA-II的多目标结析 | 第94-104页 |
| 4.4.1 非支配排序遗算法NSGA | 第94-96页 |
| 4.4.2 带精英策略的非支配排序遗算法NSGA-II | 第96-98页 |
| 4.4.3 改的NSGA-II | 第98-100页 |
| 4.4.4 于改NSGA-II的晶体生长艺参数 | 第100-104页 |
| 4.5 程实验结验证 | 第104-105页 |
| 4.6 章小结 | 第105-107页 |
| 5 晶体生长用超勾形磁场设计研 | 第107-123页 |
| 5.1 引言 | 第107-108页 |
| 5.2 超磁场设计理论 | 第108-111页 |
| 5.2.1 磁场几何尺磁的设计 | 第108-109页 |
| 5.2.2 超体电磁力计算式 | 第109页 |
| 5.2.3 超磁体“热点”温度设计 | 第109-111页 |
| 5.3 超CUSP磁场设计 | 第111-118页 |
| 5.3.1 超非CUSP磁场结构设计 | 第112-114页 |
| 5.3.2 线圈层数磁场的影响 | 第114-115页 |
| 5.3.3 线圈距磁场度的影响 | 第115-116页 |
| 5.3.4 磁屏蔽体厚度磁场度漏磁的影响 | 第116-118页 |
| 5.4 CUSP磁场在晶体生长中的数值模拟研 | 第118-122页 |
| 5.4.1 CUSP磁场熔体流的影响 | 第119-120页 |
| 5.4.2 CUSP磁场自表面温度和流的影响 | 第120-121页 |
| 5.4.3 CUSP磁场固液界面形状的影响 | 第121-122页 |
| 5.5 章小结 | 第122-123页 |
| 6 总结展望 | 第123-125页 |
| 6.1 总结 | 第123-124页 |
| 6.2 展望 | 第124-125页 |
| 致谢 | 第125-127页 |
| 参考文献 | 第127-141页 |
| 在校学期所发表的论文 | 第141页 |
