| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 1 绪论 | 第11-34页 |
| 1.1 ZnO材料的基本性质及其在紫外发光方面的优势 | 第12-19页 |
| 1.2 ZnO基紫外发光二极管的研究进展 | 第19-31页 |
| 1.3 本论文的研究内容与意义 | 第31-34页 |
| 2 ZnO材料的常用制备方法及表征手段 | 第34-44页 |
| 2.1 ZnO材料的常用制备方法 | 第34-37页 |
| 2.2 ZnO材料的主要表征手段 | 第37-43页 |
| 2.3 本章小结 | 第43-44页 |
| 3 反蛋白石结构模板法制备垂直有序一维ZnO纳米棒阵列 | 第44-58页 |
| 3.1 反蛋白石结构模板水热生长ZnO纳米棒阵列 | 第46-51页 |
| 3.2 ZnO纳米棒阵列形貌及影响因素 | 第51-54页 |
| 3.3 结晶及光谱特性 | 第54-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 4 GaN量子点上生长一维ZnO纳米棒 | 第58-75页 |
| 4.1 GaN量子点外延生长及器件研究现状 | 第58-63页 |
| 4.2 Ga液滴法外延生长GaN量子点工艺研究 | 第63-70页 |
| 4.3 GaN量子点模板生长ZnO纳米棒阵列研究 | 第70-73页 |
| 4.4 本章小结 | 第73-75页 |
| 5 一维n-ZnO纳米棒/p-GaN直接贴合异质结发光二极管研究 | 第75-86页 |
| 5.1 n-ZnO纳米棒/p-GaN直接贴合发光器件的制备 | 第76-78页 |
| 5.2 材料表征与器件性能分析 | 第78-82页 |
| 5.3 n-ZnO纳米棒/p-GaN直接贴合异质结LED的发光机制 | 第82-84页 |
| 5.4 本章小结 | 第84-86页 |
| 6 n-ZnO量子点/MgO/p-GaN异质结紫外发光二极管研究 | 第86-98页 |
| 6.1 n-ZnO QDs/MgO/p-GaN异质结紫外电致发光器件的制备 | 第87-89页 |
| 6.2 材料和器件性能表征与讨论 | 第89-97页 |
| 6.3 本章小结 | 第97-98页 |
| 7 金属局域表面等离激元增强ZnO量子点紫外发光二极管研究 | 第98-113页 |
| 7.1 表面等离激元基本理论和应用 | 第98-104页 |
| 7.2 Ag LSP增强的n-ZnO QDs/MgO/p-GaN LED制备和特性研究 | 第104-111页 |
| 7.3 本章小结 | 第111-113页 |
| 8 总结与展望 | 第113-117页 |
| 8.1 总结 | 第113-115页 |
| 8.2 展望 | 第115-117页 |
| 致谢 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-136页 |
| 附录1 攻读博士学位期间已发表或完成的论文 | 第136页 |
