| 第一章 前言 | 第8-20页 |
| 1.1 ZnO 薄膜材料应用的突破进展 | 第8页 |
| 1.2 ZnO 薄膜材料的压电应用 | 第8-9页 |
| 1.3 ZnO 薄膜材料的光电应用 | 第9-11页 |
| 1.4 ZnO 薄膜材料的其它应用 | 第11-12页 |
| 1.5 论文研究动机 | 第12-13页 |
| 1.6 本论文的主要工作内容 | 第13-14页 |
| 本章参考文献 | 第14-20页 |
| 第二章 ZnO 基本特性和生长技术研究 | 第20-43页 |
| 2.1 晶体结构特性 | 第20-22页 |
| 2.2 光学特性 | 第22-27页 |
| 2.3 压电特性和表面声波器件 | 第27-36页 |
| 2.3.1 表面声波 | 第28-30页 |
| 2.3.2 压电材料参数 | 第30-31页 |
| 2.3.3 ZnO 基声表面波器件 | 第31-36页 |
| 2.3.3.1 衬底选择 22.3.3.2 器件结构特性 | 第32-35页 |
| 2.3.3.3 器件频率温度特性 | 第35-36页 |
| 2.4 ZnO 薄膜生长技术 | 第36-37页 |
| 2.5 用于 ZnO 生长的等离子增强 MOCVD 反应系统 | 第37-39页 |
| 小结 | 第39-40页 |
| 本章参考文献 | 第40-43页 |
| 第三章 MOCVD 法生长以蓝宝石为基底的压电 ZnO 异质结构 | 第43-79页 |
| 3.1 声表面波用<1120>取向的高阻ZnO/R-Al2O3结构 | 第43-61页 |
| 3.1.1 实验步骤 | 第44-45页 |
| 3.1.2 生长条件及优化 | 第45-49页 |
| 3.1.3 110面 ZnO 的光透射谱 | 第49-50页 |
| 3.1.4 ZnO 薄膜的表面分析 | 第50-57页 |
| 3.1.5 室温光荧光谱分析 | 第57页 |
| 3.1.6 110面 ZnO 薄膜的阻值特性研究 | 第57-61页 |
| 3.2 MOCVD生长ZnO/GaN/Al2O3三层结构 | 第61-76页 |
| 3.2.1 生长条件 | 第62页 |
| 3.2.2 薄膜晶体特性分析 | 第62-65页 |
| 3.2.3 薄膜表面结构分析 | 第65-67页 |
| 3.2.4 ZnO/GaN/Al2O3结构的XPS分析 | 第67-69页 |
| 3.2.5 ZnO/GaN/Al2O3结构的PL谱分析 | 第69-73页 |
| 3.2.6 ZnO/GaN/Al2O3结构的拉曼光谱 | 第73-76页 |
| 小结 | 第76页 |
| 本章参考文献 | 第76-79页 |
| 第四章 在金刚石和硅衬底上的声表面波用 ZnO 多层结构的 MOCVD 生长 | 第79-109页 |
| 4.1 生长金刚石单晶衬底上的 ZnO 压电薄膜材料 | 第79-89页 |
| 4.2 在多晶金刚石/硅衬底上的 ZnO 薄膜的外延生长 | 第89-96页 |
| 4.3 MOCVD生长声表面波用ZnO/SiO2/Si三层结构 | 第96-107页 |
| 小结 | 第107-108页 |
| 本章参考文献 | 第108-109页 |
| 第五章 ZnO 基 SAWF 的初步制备 | 第109-119页 |
| 5.1 声表面波滤波器件的设计 | 第109-112页 |
| 5.2 器件制备步骤 | 第112-114页 |
| 5.3 器件测试步骤 | 第114-118页 |
| 小 结 | 第118页 |
| 本章参考文献 | 第118-119页 |
| 结论 | 第119-122页 |
| 致谢 | 第122-123页 |
| 博士期间发表的论文 | 第123-128页 |
| 摘要 | 第128-131页 |
| ABSTRACT | 第131页 |
