高速高可靠STT非易失存储器研究
| 摘要 | 第9-11页 |
| ABSTRCT | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第13-16页 |
| 1.1.1 存储器分类 | 第13-15页 |
| 1.1.2 STT-MRAM的优势 | 第15-16页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第16-19页 |
| 1.3 本文的研究工作 | 第19-20页 |
| 1.4 本文的组成结构 | 第20-21页 |
| 第二章 MTJ模型构建 | 第21-27页 |
| 2.1 模型分析 | 第21-24页 |
| 2.2 模型构建 | 第24-25页 |
| 2.3 模型验证 | 第25-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 STT存储单元设计 | 第27-51页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 典型STT存储单元分析 | 第27-39页 |
| 3.2.1 STT存储单元研究 | 第27-33页 |
| 3.2.2 写延时优化 | 第33-36页 |
| 3.2.3 电路参数仿真 | 第36-39页 |
| 3.3 高速写操作STT存储单元设计 | 第39-50页 |
| 3.3.1 电路设计 | 第40-44页 |
| 3.3.2 电路参数分析 | 第44-47页 |
| 3.3.3 各类存储单元电路参数对比 | 第47-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第四章 STT灵敏放大器设计 | 第51-62页 |
| 4.1 引言 | 第51页 |
| 4.2 灵敏放大器简介 | 第51-55页 |
| 4.3 典型STT灵敏放大器分析 | 第55-58页 |
| 4.3.1 读错误机理 | 第56页 |
| 4.3.2 功能验证 | 第56-58页 |
| 4.4 高可靠读操作STT灵敏放大器设计 | 第58-61页 |
| 4.4.1 电路设计 | 第58-59页 |
| 4.4.2 功能验证 | 第59-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 STT存储器特性分析 | 第62-78页 |
| 5.1 引言 | 第62页 |
| 5.2 新型STT读写电路设计 | 第62-65页 |
| 5.2.1 电路设计 | 第62-64页 |
| 5.2.2 电路参数仿真 | 第64-65页 |
| 5.3 Cache特性评估 | 第65-76页 |
| 5.3.1 Cache特性分析 | 第65-70页 |
| 5.3.2 PPA对比 | 第70-76页 |
| 5.4 读可靠性评估 | 第76-77页 |
| 5.5 本章小结 | 第77-78页 |
| 第六章 结束语 | 第78-80页 |
| 6.1 工作总结 | 第78页 |
| 6.2 研究展望 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-88页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第88页 |
