| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-15页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第12-13页 |
| 1.2 论文结构安排 | 第13-14页 |
| 参考文献 | 第14-15页 |
| 第二章 用于光通信中的部分耗尽吸收光探测器 | 第15-39页 |
| 2.1 光通信系统发展趋势 | 第15-16页 |
| 2.2 用于光通信中的部分耗尽吸收光探测器研究进展 | 第16-25页 |
| 2.2.1 普通单耗尽型PIN光探测器 | 第16-18页 |
| 2.2.2 部分耗尽吸收层(PDA)光探测器 | 第18-23页 |
| 2.2.3 蘑菇型探测器 | 第23-25页 |
| 2.3 PDA光探测器基本原理和特性分析 | 第25-32页 |
| 2.3.1 PDA光探测器基本原理 | 第25-26页 |
| 2.3.2 量子效率和响应度分析 | 第26-27页 |
| 2.3.3 高速性能和3dB带宽分析 | 第27-29页 |
| 2.3.4 暗电流特性分析 | 第29-31页 |
| 2.3.5 非线性特性分析 | 第31-32页 |
| 2.4 性能优化 | 第32-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-39页 |
| 第三章 蘑菇型部分耗尽吸收光探测器性能优化研究 | 第39-63页 |
| 3.1 光探测器的仿真模型 | 第39-47页 |
| 3.1.1 三大基本方程 | 第40-41页 |
| 3.1.2 数值解方法 | 第41页 |
| 3.1.3 物理模型 | 第41-45页 |
| 3.1.4 所用的材料参数 | 第45-47页 |
| 3.2 蘑菇型渐变掺杂部分耗尽吸收光探测器设计 | 第47-52页 |
| 3.2.1 部分耗尽吸层收设计 | 第47-51页 |
| 3.2.2 蘑菇型结构设计 | 第51-52页 |
| 3.2.3 间隔层与掺杂浓度及厚度设计 | 第52页 |
| 3.3 蘑菇型渐变掺杂部分耗尽吸收光探测器性能优化仿真结果 | 第52-58页 |
| 3.3.1 蘑菇型渐变掺杂PDA-PD优化后结构 | 第52-53页 |
| 3.3.2 蘑菇型渐变掺杂PDA-PD不同偏压下结果 | 第53-54页 |
| 3.3.3 蘑菇型渐变掺杂PDA-PD与普通探测器仿真对比分析 | 第54-58页 |
| 3.4 集成光栅蘑菇型渐变掺杂PDA-PD | 第58-60页 |
| 3.4.1 集成光栅蘑菇型渐变掺杂PDA-PD光场仿真 | 第58-59页 |
| 3.4.2 集成光栅蘑菇型渐变掺杂PDA-PD量子效率对比 | 第59-60页 |
| 3.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 第四章 新型蘑菇型双吸收层部分耗尽吸收光探测器性能优化研究 | 第63-71页 |
| 4.1 新型蘑菇型双吸收层部分耗尽吸收光探测器的性能分析 | 第63-67页 |
| 4.1.1 新型蘑菇型双吸收层PDA-PD吸收层优化分析 | 第64-65页 |
| 4.1.2 新型蘑菇型双吸收层PDA-PD与传统双吸收层PIN-PD电容特性对比分析 | 第65-67页 |
| 4.2 新型蘑菇型双吸收层PDA-PD与传统光探测器的性能对比 | 第67-69页 |
| 4.2.1 新型蘑菇型双吸收层PDA-PD与传统双吸收层PIN-PD的3dB带宽对比分析 | 第67页 |
| 4.2.2 新型蘑菇型双吸收层PDA-PD与传统的PDA-PD高功率特性分析 | 第67-68页 |
| 4.2.3 新型蘑菇型双吸收层PDA-PD传统双吸收层PIN-PD的掺杂和电场分析 | 第68-69页 |
| 4.3 本章小结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-71页 |
| 第五章 新型蘑菇型部分耗尽吸收光探测器的实验制备与测试 | 第71-87页 |
| 5.1 器件的外延片生长 | 第71-72页 |
| 5.2 外延片的质量测试与分析 | 第72-73页 |
| 5.2.1 XRD测试与分析 | 第72-73页 |
| 5.2.2 C-V曲线测试与分析 | 第73页 |
| 5.3 器件的后工艺制备 | 第73-78页 |
| 5.3.1 腐蚀液的配制 | 第73-74页 |
| 5.3.2 光刻工艺制作掩膜 | 第74页 |
| 5.3.3 磁控溅射镀金属电极 | 第74-75页 |
| 5.3.4 蘑菇型结构工艺制备 | 第75-78页 |
| 5.4 蘑菇型部分耗尽吸收光探测器制备 | 第78-82页 |
| 5.4.1 两步法光刻侧腐蚀 | 第78-79页 |
| 5.4.2 光探测器的版图与制作流程 | 第79-82页 |
| 5.5 器件的性能测试 | 第82-85页 |
| 5.5.1 器件暗电流的测试 | 第82-83页 |
| 5.5.2 器件量子效率的测试 | 第83-84页 |
| 5.5.3 器件高速响应的测试 | 第84-85页 |
| 5.6 本章小结 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-87页 |
| 致谢 | 第87-89页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第89页 |
