摘要 | 第5-7页 |
abstract | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第14-35页 |
1.1 引言 | 第14页 |
1.2 电化学发光概述 | 第14-18页 |
1.3 三联吡啶钌的电化学发光 | 第18-22页 |
1.3.1 三联吡啶钌的固定 | 第18页 |
1.3.2 三联吡啶钌电化学发光信号的放大 | 第18-20页 |
1.3.3 三联吡啶钌电化学发光应用 | 第20-22页 |
1.4 分子印迹技术 | 第22-23页 |
1.4.1 分子印迹技术的起源 | 第22页 |
1.4.2 分子印迹技术的原理 | 第22-23页 |
1.4.3 分子印迹技术的应用 | 第23页 |
1.5 霉菌毒素简介 | 第23-24页 |
1.6 论文的指导思想和主要内容 | 第24-27页 |
参考文献 | 第27-35页 |
第二章 Nafion/三联吡啶钌固相电化学发光赭曲霉毒素A传感器的应用研究 | 第35-52页 |
2.1 引言 | 第35-36页 |
2.2 实验部分 | 第36-38页 |
2.2.1 仪器与试剂 | 第36-37页 |
2.2.2 电化学发光传感器的制备 | 第37-38页 |
2.2.3 实际样品的制备 | 第38页 |
2.3 结果与讨论 | 第38-48页 |
2.3.1 电化学发光传感器的表征 | 第38-42页 |
2.3.2 实验条件的优化 | 第42-44页 |
2.3.3 线性测定 | 第44-45页 |
2.3.4 传感器的选择性、稳定性和重现性 | 第45-48页 |
2.3.5 实际样品检测 | 第48页 |
2.4 结论 | 第48-49页 |
参考文献 | 第49-52页 |
第三章 基于RuSi NPs固相电化学发光赭曲霉毒素A传感器的应用研究 | 第52-68页 |
3.1 引言 | 第52-53页 |
3.2 实验部分 | 第53-55页 |
3.2.1 仪器与试剂 | 第53页 |
3.2.2 合成RuSi NPs | 第53页 |
3.2.3 分子印迹电化学发光传感器的制备 | 第53-55页 |
3.3 结果与讨论 | 第55-64页 |
3.3.1 RuSi NPs的表征 | 第55页 |
3.3.2 分子印迹电化学发光传感器的表征 | 第55-58页 |
3.3.3 实验条件的优化 | 第58-61页 |
3.3.4 线性测定 | 第61-62页 |
3.3.5 传感器的选择性、稳定性和重现性 | 第62-64页 |
3.3.6 实际样品检测 | 第64页 |
3.4 结论 | 第64-66页 |
参考文献 | 第66-68页 |
第四章 RuSi NPs-CdTe QDs电化学发光能量转移传感器的应用研究 | 第68-84页 |
4.1 引言 | 第68-69页 |
4.2 实验部分 | 第69-70页 |
4.2.1 仪器与试剂 | 第69页 |
4.2.2 CdTe QDs的合成 | 第69页 |
4.2.3 检测方法 | 第69-70页 |
4.3 结果与讨论 | 第70-80页 |
4.3.1 CdTe QDs的表征 | 第70-72页 |
4.3.2 传感器的表征 | 第72-74页 |
4.3.3 RuSi NPs-CdTe QDs体系电化学发光能量转移机理 | 第74-76页 |
4.3.4 CdTe QDs量的优化 | 第76-77页 |
4.3.5 OTA电化学发光检测 | 第77-78页 |
4.3.6 传感器的选择性、稳定性和重现性 | 第78-79页 |
4.3.7 实际样品检测 | 第79-80页 |
4.4 结论 | 第80-81页 |
参考文献 | 第81-84页 |
附录 | 第84-85页 |
致谢 | 第85页 |