| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 引言 | 第12页 |
| 1.2 薄膜晶体管 | 第12-15页 |
| 1.2.1 薄膜晶体管简介 | 第12-13页 |
| 1.2.2 薄膜晶体管工作原理 | 第13-14页 |
| 1.2.3 薄膜晶体管中的半导体材料 | 第14-15页 |
| 1.3 非晶氧化物薄膜晶体管 | 第15-20页 |
| 1.3.1 a-IGZO TFT的简介 | 第15-16页 |
| 1.3.2 a-IGZO的材料特性 | 第16-19页 |
| 1.3.3 a-IGZO TFT的研究现状 | 第19-20页 |
| 1.4 研究意义及研究内容 | 第20-23页 |
| 第二章 薄膜晶体管器件的制备与表征方法 | 第23-35页 |
| 2.1 器件的制备 | 第23-27页 |
| 2.1.1 制备器件材料的选择 | 第23-24页 |
| 2.1.2 器件制备的工艺流程 | 第24-27页 |
| 2.2 薄膜特性的表征 | 第27-29页 |
| 2.2.1 薄膜成膜速率 | 第27-28页 |
| 2.2.2 薄膜表面形貌 | 第28页 |
| 2.2.3 薄膜光学透过率 | 第28-29页 |
| 2.2.4 薄膜元素成分 | 第29页 |
| 2.3 器件性能的表征 | 第29-34页 |
| 2.3.1 a-IGZO TFT的电学特性及参数表征 | 第29-32页 |
| 2.3.2 a-IGZO TFT的稳定性 | 第32-34页 |
| 2.4 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 a-IGZO TFT工艺条件及器件稳定性的初步研究 | 第35-43页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 a-IGZO TFT工艺条件的确立 | 第35-39页 |
| 3.2.1 有源层和漏源电极薄膜的制备 | 第35-36页 |
| 3.2.2 保护层薄膜的选择与制备 | 第36-38页 |
| 3.2.3 退火温度的选择 | 第38-39页 |
| 3.3 a-IGZO TFT偏压稳定性 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 a-IGZO TFT保护层厚度对器件光照稳定性的影响 | 第43-58页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 不同保护层厚度的a-IGZO TFT光照稳定性实验 | 第43-47页 |
| 4.2.1 实验方法 | 第43-44页 |
| 4.2.2 实验结果 | 第44-47页 |
| 4.3 a-IGZO TFT光照恢复实验 | 第47-49页 |
| 4.3.1 实验方法 | 第47-48页 |
| 4.3.2 实验结果 | 第48-49页 |
| 4.4 a-IGZO TFT光照稳定性的分析与讨论 | 第49-52页 |
| 4.5 a-IGZO TFT偏置电压下光照稳定性的研究 | 第52-57页 |
| 4.5.1 相同保护层厚度器件有无偏压下光照稳定性的比较 | 第52-54页 |
| 4.5.2 不同保护层厚度器件负向偏压下的光照稳定性(NBIS) | 第54-57页 |
| 4.6 本章小结 | 第57-58页 |
| 第五章 a-IGZO TFT有源层氧流量对器件光照稳定性的影响 | 第58-70页 |
| 5.1 引言 | 第58页 |
| 5.2 实验方法 | 第58-62页 |
| 5.2.1 不同氧流量下IGZO成膜速率测试 | 第58-59页 |
| 5.2.2 不同氧流量下IGZO的单膜对比实验 | 第59-62页 |
| 5.2.3 不同氧流量有源层的a-IGZO TFT制备 | 第62页 |
| 5.3 实验结果与讨论 | 第62-69页 |
| 5.3.1 不同氧流量有源层a-IGZO TFT的电学特性 | 第62-65页 |
| 5.3.2 不同氧流量有源层a-IGZO TFT的光照稳定性 | 第65-69页 |
| 5.4 本章小结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 论文主要内容总结 | 第70-71页 |
| 6.2 研究展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第78-81页 |
