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超薄的g-C3N4纳米材料修饰电极在检测重金属离子与小分子中的应用

中文摘要第4-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第12-28页
    1.1 电化学传感器第12-16页
        1.1.1 电化学传感器的概述第12页
        1.1.2 电化学传感器的原理第12-13页
        1.1.3 电化学传感器的分类第13-14页
        1.1.4 电化学传感的特点第14页
        1.1.5 电化学传感器的发展趋势及应用第14-15页
        1.1.6 电极的制备第15-16页
    1.2 二维纳米材料第16-21页
        1.2.1 二维纳米材料的概述第16页
        1.2.2 类石墨烯二维纳米材料的结构与性能第16-17页
        1.2.3 类石墨烯超薄二维纳米材料的制备第17-18页
        1.2.4 g-C_3N_4的结构和制备方法第18-20页
        1.2.5 g-C_3N_4的性质与应用第20-21页
    1.3 重金属检测的意义第21-22页
        1.3.1 汞离子的危害第21页
        1.3.2 铜离子的危害第21-22页
    1.4 对色氨酸检测的意义第22页
    1.5 论文的选题依据和主要研究内容第22-23页
        1.5.1 选题依据第22页
        1.5.2 主要研究内容第22-23页
    参考文献第23-28页
第二章 g-C_3N_4的合成与表征第28-35页
    2.1 前言第28页
    2.2 实验部分第28-30页
        2.2.1 实验试剂与仪器第28页
        2.2.2 g-C_3N_4合成第28-29页
        2.2.3 合成材料的表征第29-30页
    2.3 结果与讨论第30-33页
        2.3.1 透射电镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)第30-31页
        2.3.2 X射线衍射(XRD)第31页
        2.3.3 红外光谱分析(FT-IR)第31-32页
        2.3.4 X光电子能谱第32-33页
    2.4 本章小结第33页
    参考文献第33-35页
第三章 薄片g-C_3N_4修饰的电极在检测汞离子中的应用第35-47页
    3.1 前言第35页
    3.2 实验部分第35-37页
        3.2.1 实验仪器与试剂第35页
        3.2.2 实验方法第35-37页
            3.2.2.1 g-C_3N_4的制备第35-36页
            3.2.2.2 电极预处理第36页
            3.2.2.3 g-C_3N_4/GCE的制备第36页
            3.2.2.4 实际样品的制备第36页
            3.2.2.5 溶出伏安法第36-37页
            3.2.2.6 g-C_3N_4/GCE汞离子传感器的电化学表征第37页
    3.3 结果与讨论第37-45页
        3.3.1 GC电极,团块g-C_3N_4/GC电极,薄片g-C_3N_4/GC电极的阻抗第37-38页
        3.3.2 电极的电化学性能的研究第38-39页
        3.3.3 pH值对电极电化学性能的影响第39页
        3.3.4 沉积电位对电极电化学性能的影响第39-40页
        3.3.5 沉积时间对电极电化学性能的影响第40页
        3.3.6 修饰材料量的大小对电极的电化学性能的影响第40-41页
        3.3.7 薄片g-C_3N_4修饰的电极的应用分析第41-42页
        3.3.8 干扰实验第42-43页
        3.3.9 电极的清洗及重现性和稳定性第43-45页
    3.4 本章小结第45页
    参考文献第45-47页
第四章 薄片g-C_3N_4修饰的电极在检测色氨酸中的应用第47-57页
    4.1 前言第47页
    4.2 实验部分第47-48页
        4.2.1 实验仪器与试剂第47页
        4.2.2 实验方法第47-48页
            4.2.2.1 玻碳电极的预处理第47-48页
            4.2.2.2 g-C_3N_4/GCE色氨酸传感器的制备第48页
            4.2.2.3 实际样品的制备第48页
            4.2.2.4 薄片g-C_3N_4/GCE生物传感器的表征第48页
    4.3 结果与讨论第48-55页
        4.3.1 被修饰电极的电化学阻抗研究第48-49页
        4.3.2 电极的电化学性能的研究第49-50页
        4.3.3 扫描速率对色氨酸的伏安反应的影响第50-51页
        4.3.4 pH对色氨酸循环伏安的影响第51-52页
        4.3.5 薄片g-C_3N_4修饰的电极的应用分析第52-53页
        4.3.6 干扰检测第53-54页
        4.3.7 对实际样品的检测第54-55页
        4.3.8 电化学传感器的重现性与稳定性第55页
    4.4 本章结论第55页
    参考文献第55-57页
第五章 薄片g-C_3N_4修饰的电极在检测铜离子中的应用第57-62页
    5.1 前言第57页
    5.2 实验部分第57-58页
        5.2.1 实验仪器与试剂第57页
        5.2.2 实验方法第57-58页
            5.2.2.1 玻碳电极的预处理第57-58页
            5.2.2.2 薄片g-C_3N_4/GCE的制备第58页
            5.2.2.3 溶出伏安法第58页
            5.2.2.4 薄片g-C_3N_4/GCE汞离子传感器的电化学表征第58页
    5.3 结果与讨论第58-61页
        5.3.1 电极的电化学性能的研究第58-59页
        5.3.2 pH值对电极电化学性能的影响第59页
        5.3.3 沉积电位对电极电化学性能的影响第59-60页
        5.3.4 沉积时间对电极电化学性能的影响第60-61页
        5.3.5 薄片g-C_3N_4修饰的电极的应用分析第61页
    参考文献第61-62页
第六章 结论及展望第62-63页
    6.1 论文结论第62页
    6.2 展望第62-63页
攻读硕士学位期间出版或公开发表的论著、论文第63-64页
致谢第64-65页

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