| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第11-27页 |
| 1.1 QSAR/QSPR概述 | 第11-21页 |
| 1.2 分子表面静电势及其导出参数 | 第21-25页 |
| 1.3 本论文的工作思路 | 第25-27页 |
| 第二章 静电势描述符对氢键碱度参数pK_(BHX)的QSPR研究 | 第27-37页 |
| 2.1 引言 | 第27-29页 |
| 2.2 计算方法 | 第29页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第29-37页 |
| 第三章 静电势描述符对疏水性取代基/片段常数的QSPR研究 | 第37-49页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 计算方法 | 第38-39页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第39-47页 |
| 3.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第四章 静电势描述符对线性溶剂化能参数的QSPR研究 | 第49-60页 |
| 4.1 引言 | 第49-51页 |
| 4.2 计算方法 | 第51页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第51-60页 |
| 第五章 静电势描述符对神经递质转运体抑制剂的QSAR研究 | 第60-69页 |
| 5.1 引言 | 第60页 |
| 5.2 计算方法 | 第60-63页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第63-69页 |
| 第六章 总结与展望 | 第69-72页 |
| 6.1 总结 | 第69-70页 |
| 6.2 展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-88页 |
| 附录一 氢键碱度参数及进入模型的静电势参数 | 第88-107页 |
| 附录二 取代基参数以及相应进入模型的静电势参数 | 第107-112页 |
| 附表三 取代基片段常数及相应的进入的静电势参数 | 第112-117页 |
| 附表四 化合物的Abraham线性溶剂化能参数及汇总的进入模型的静电势参数 | 第117-136页 |
| 作者简历 | 第136页 |
