| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第10-26页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 硅纳米线力-电性能研究背景 | 第11-13页 |
| 1.3 硅压阻效应研究现状 | 第13-23页 |
| 1.3.1 硅体材料压阻效应简介 | 第13-16页 |
| 1.3.2 硅纳米线压阻效应研究现状 | 第16-23页 |
| 1.4 本研究的主要内容及意义 | 第23-26页 |
| 第2章 实验仪器与实验方法 | 第26-34页 |
| 2.1 引言 | 第26页 |
| 2.2 实验仪器 | 第26-30页 |
| 2.2.1 TEM简介 | 第26-27页 |
| 2.2.2 STM-TEM简介 | 第27-28页 |
| 2.2.3 钨针尖电化学腐蚀装置简介 | 第28-29页 |
| 2.2.4 聚焦离子束（FIB）双束系统简介 | 第29-30页 |
| 2.3 硅纳米线自上而下制备方法 | 第30-34页 |
| 第3章 N型<111>方向硅纳米线在拉伸和压缩应变下压阻效应的研究 | 第34-48页 |
| 3.1 引言 | 第34-35页 |
| 3.2 N型<111>方向硅纳米线表征及原位电学测试方法 | 第35-38页 |
| 3.3 N型<111>方向硅纳米线拉伸应变下压阻效应的研究 | 第38-42页 |
| 3.4 N型<111>方向硅纳米线压缩应变下压阻效应的研究 | 第42-45页 |
| 3.5 N型<111>方向硅纳米线压阻循环性能 | 第45-46页 |
| 3.6 本章小结 | 第46-48页 |
| 第4章 N型<110>方向硅纳米线在压缩应变下压阻效应的研究 | 第48-54页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 N型<110>方向硅纳米线表征 | 第49-50页 |
| 4.3 N型<110>方向硅纳米线压缩应变下压阻效应的研究 | 第50-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 N型<100>方向硅微/纳米线在弯曲应变下压阻效应的研究 | 第54-62页 |
| 5.1 引言 | 第54-55页 |
| 5.2 N型<100>方向硅纳米线在压缩应变下压阻效应的研究 | 第55-57页 |
| 5.3 N型<100>方向硅微米线制备及表征 | 第57-58页 |
| 5.4 N型<100>方向硅微米线在弯曲应变下压阻效应的研究 | 第58-61页 |
| 5.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第6章 N型硅纳米线压阻效应讨论 | 第62-66页 |
| 6.1 晶体学取向对N型硅纳米线压阻效应影响 | 第62-63页 |
| 6.2 N型硅纳米线与硅体材料压阻系数比较 | 第63-64页 |
| 6.3 电子束辐照影响 | 第64-65页 |
| 6.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读硕士学位期间所发表/准备的学术论文 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
