基于记忆元件的混沌电路研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题的研究背景及意义 | 第9-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-13页 |
| 1.3 论文主要工作与创新 | 第13-14页 |
| 1.4 论文结构安排 | 第14-15页 |
| 第二章 记忆元件建模与分析 | 第15-34页 |
| 2.1 忆阻器建模与分析 | 第15-21页 |
| 2.1.1 忆阻器机理与建模研究 | 第15-18页 |
| 2.1.2 忆阻器仿真及基本特性分析 | 第18-21页 |
| 2.2 忆容器建模与分析 | 第21-26页 |
| 2.2.1 忆容器的数学模型 | 第21-22页 |
| 2.2.2 忆容器的Simulink模型仿真 | 第22-24页 |
| 2.2.3 忆容器特性分析 | 第24-26页 |
| 2.3 忆感器建模与分析 | 第26-32页 |
| 2.3.1 忆感器的数学模型 | 第26-27页 |
| 2.3.2 忆感器的Simulink模型仿真 | 第27-29页 |
| 2.3.3 忆感器特性分析 | 第29-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 忆阻器MLC电路的动力学行为分析 | 第34-53页 |
| 3.1 磁控忆阻器 | 第34-35页 |
| 3.2 基于忆阻器的MLC混沌电路 | 第35-37页 |
| 3.3 混沌吸引子 | 第37-40页 |
| 3.4 基本动力学分析 | 第40-42页 |
| 3.5 系统动力学分析 | 第42-52页 |
| 3.5.1 依赖于初始条件的动力学行为 | 第43-46页 |
| 3.5.2 随电路参数变化的动力学行为 | 第46-52页 |
| 3.6 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 非自治忆阻混沌振荡器的动力学行为分析 | 第53-83页 |
| 4.1 非自治忆阻混沌振荡器 | 第53-55页 |
| 4.2 典型混沌吸引子 | 第55-60页 |
| 4.3 基本动力学分析 | 第60-63页 |
| 4.4 系统动力学分析 | 第63-75页 |
| 4.4.1 依赖于初始条件的动力学行为 | 第63-69页 |
| 4.4.2 电路参数变化时的动力学行为 | 第69-75页 |
| 4.5 瞬态混沌与阵发周期现象 | 第75-78页 |
| 4.6 非自治忆阻混沌振荡器的电路实现 | 第78-82页 |
| 4.7 本章小结 | 第82-83页 |
| 第五章 一种基于忆感器的二阶非自治混沌电路 | 第83-93页 |
| 5.1 磁控忆感器 | 第83-84页 |
| 5.2 基于忆感器的混沌电路 | 第84-87页 |
| 5.3 基本动力学分析 | 第87-89页 |
| 5.4 系统动力学分析 | 第89-92页 |
| 5.5 本章小结 | 第92-93页 |
| 第六章 总结与展望 | 第93-95页 |
| 6.1 总结 | 第93-94页 |
| 6.2 展望 | 第94-95页 |
| 参考文献 | 第95-99页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第99-100页 |
| 致谢 | 第100-102页 |
