CPA型磁控溅射设备靶改进及磁场模拟分析研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·磁控溅射技术发展历程及现状 | 第9-13页 |
| ·二极溅射 | 第9页 |
| ·三极溅射 | 第9-10页 |
| ·磁控溅射 | 第10-13页 |
| ·论文研究的背景和意义 | 第13页 |
| ·本文主要的工作内容 | 第13-14页 |
| 第二章 磁控溅射的原理及分类技术 | 第14-24页 |
| ·多靶磁控溅射技术 | 第16页 |
| ·平衡磁控溅射技术 | 第16-17页 |
| ·非平衡磁控溅射技术 | 第17-19页 |
| ·脉冲磁控溅射技术 | 第19-20页 |
| ·反应磁控溅射技术 | 第20-21页 |
| ·高速率溅射和自溅射 | 第21-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 影响溅射镀膜主要因素分析 | 第24-36页 |
| ·辉光放电现象 | 第24-26页 |
| ·电荷粒子在电磁场中运动轨迹的分析 | 第26-30页 |
| ·Monte Carlo 基本理论 | 第26-27页 |
| ·电荷粒子在电磁场中的跟踪方法 | 第27-30页 |
| ·溅射产额 | 第30-34页 |
| ·溅射产额与入射离子能量的关系 | 第30-31页 |
| ·溅射产额的经验公式 | 第31-34页 |
| ·影响薄膜沉积的工艺参数 | 第34-35页 |
| ·气体流量和真空压力 | 第34页 |
| ·溅射时的电参数 | 第34页 |
| ·靶表面与基板间距离 | 第34-35页 |
| ·基片温度和基片表面洁净度 | 第35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 磁控溅射的靶材及磁场研究 | 第36-52页 |
| ·磁控溅射靶磁场 | 第36-38页 |
| ·磁极表面的磁场分布 | 第36-37页 |
| ·磁体的结构设计 | 第37-38页 |
| ·磁场的设计原则 | 第38页 |
| ·靶磁场结构分析方法及仿真分析 | 第38-44页 |
| ·磁场的分析方法 | 第38-39页 |
| ·磁场分析的软件选取及模型的建立 | 第39-42页 |
| ·计算机仿真分析及结果验证 | 第42-44页 |
| ·磁控溅射靶设计的理论依据 | 第44-46页 |
| ·靶材利用率分析及改进方向 | 第46-51页 |
| ·计算及讨论 | 第47-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 CPA 型溅射台靶材及磁场改进 | 第52-59页 |
| ·CPA 型溅射台结构及存在的问题 | 第52-55页 |
| ·真空发生系统与测量系统 | 第52-53页 |
| ·CPA 型溅射台的传输系统 | 第53页 |
| ·反溅射及加热系统 | 第53-54页 |
| ·靶材及电源系统 | 第54-55页 |
| ·气流及压力控制 | 第55页 |
| ·磁场及靶材设计改进结果 | 第55-58页 |
| ·CPA 型溅射台现有靶和磁场结构 | 第55-56页 |
| ·磁场和靶的改进及测量结果 | 第56-58页 |
| ·本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 总结 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
