| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 半导体集成技术面临瓶颈 | 第10-11页 |
| 1.2 非易失半导体存储器 | 第11-13页 |
| 1.3 阻变存储器及其研究现状 | 第13-18页 |
| 1.4 选题意义及工作概述 | 第18-20页 |
| 2 忆阻器的制备及其测试表征 | 第20-28页 |
| 2.1 引言 | 第20-22页 |
| 2.2 Sol-Gel 溶胶凝胶法 | 第22-23页 |
| 2.3 Sol-Gel 制备 SnO_2薄膜 | 第23-25页 |
| 2.4 磁控溅射法 | 第25页 |
| 2.5 Al/SnO_2/FTO 结构的忆阻器的制备 | 第25-26页 |
| 2.6 测试表征 | 第26-27页 |
| 2.7 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 非掺杂的 Al/SnO_2/FTO 结构的忆阻器及其性能研究 | 第28-36页 |
| 3.1 引言 | 第28页 |
| 3.2 XRD 衍射分析 | 第28-30页 |
| 3.3 SEM 表面和截面形貌分析 | 第30页 |
| 3.4 Al/SnO_2/FTO 结构的忆阻器 I-V 测试 | 第30-33页 |
| 3.5 阻态保持测试 | 第33页 |
| 3.6 PL 谱测试分析 | 第33-34页 |
| 3.7 本章小结 | 第34-36页 |
| 4 Mn 掺杂的 Al/SnO_2/FTO 结构的忆阻器及其性能研究 | 第36-45页 |
| 4.1 引言 | 第36页 |
| 4.2 Mn 掺杂的 Al/SnO_2/FTO 结构的忆阻器的制备 | 第36-37页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第37-43页 |
| 4.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 5 Sb 掺杂的 Al/SnO_2/FTO 结构的忆阻器及其性能研究 | 第45-54页 |
| 5.1 引言 | 第45页 |
| 5.2 Sb 掺杂的 Al/SnO_2/FTO 结构的忆阻器的制备 | 第45-46页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第46-52页 |
| 5.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 6 总结和展望 | 第54-57页 |
| 6.1 结论 | 第54-55页 |
| 6.2 存在的问题 | 第55-56页 |
| 6.3 展望 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
