| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 阻变存储器的研究进展 | 第11-13页 |
| 1.3 RRAM的阻变行为分类 | 第13-15页 |
| 1.4 阻变传导机制的分类 | 第15-19页 |
| 1.4.1 空间电荷限制电流效应（Space charge limited current, SCLC） | 第15-16页 |
| 1.4.2 肖特基-热发射机制（Schottky-thermionic emmission） | 第16-17页 |
| 1.4.3 导电细丝理论（Conductive Filament） | 第17-18页 |
| 1.4.4 普尔-法兰克福发射机制（Pool-Frenkel emission，P-F） | 第18-19页 |
| 1.5 本论文的研究意义及主要内容 | 第19-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 Ga_2O_3薄膜的生长方法和薄膜的表征 | 第24-34页 |
| 2.1 引言 | 第24页 |
| 2.2 氧化镓介绍 | 第24-27页 |
| 2.2.1 Ga_2O_3薄膜的研究进展 | 第26页 |
| 2.2.2 Ga_2O_3材料的应用研究 | 第26-27页 |
| 2.3 Ga_2O_3阻变存储器的研究进展 | 第27页 |
| 2.4 氧化镓薄膜的表征方法 | 第27-30页 |
| 2.4.1 X-射线衍射（XRD） | 第28-29页 |
| 2.4.2 X射线光电子能谱仪（XPS） | 第29页 |
| 2.4.3 原子力显微镜（AFM） | 第29-30页 |
| 2.4.4 扫描电子显微镜（SEM） | 第30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 参考文献 | 第31-34页 |
| 第三章 不同生长条件下的氧化镓薄膜的表征分析 | 第34-43页 |
| 3.1 引言 | 第34页 |
| 3.2 制备Ga_2O_3薄膜的实验方法 | 第34-35页 |
| 3.3 不同生长条件对于氧化镓薄膜的影响 | 第35-38页 |
| 3.3.1 衬底温度对生长氧化镓薄膜的影响 | 第35-36页 |
| 3.3.2 激光能量对生长氧化镓薄膜的影响 | 第36-37页 |
| 3.3.3 激光频率对生长氧化镓薄膜的影响 | 第37-38页 |
| 3.4 非晶态Ga_2O_(3-x)薄膜组成和表面形貌的研究 | 第38-40页 |
| 3.4.1 Ga_2O_(3-x)薄膜组成成分的研究 | 第38-39页 |
| 3.4.2 Ga_2O_(3-x)薄膜的原子力显微镜分析 | 第39页 |
| 3.4.3 Ga_2O_(3-x)薄膜的扫描电镜分析 | 第39-40页 |
| 3.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 参考文献 | 第41-43页 |
| 第四章 Au/Ga_2O_(3-x)/NSTO/Au结构双极型阻变行为的研究 | 第43-51页 |
| 4.1 引言 | 第43页 |
| 4.2 Au/Ga_2O_(3-x)/NSTO/Au样品的制备 | 第43-44页 |
| 4.3 Au/Ga_2O_(3-x)/NSTO/Au结构双极阻变的测试 | 第44-47页 |
| 4.4 Au/Ga_2O_(3-x)/NSTO/Au结构的阻变传导机制分析 | 第47-48页 |
| 4.5 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第五章 Au/Ga_2O_(3-x)/NSTO/Au结构的负微分电阻现象的研究 | 第51-61页 |
| 5.1 引言 | 第51页 |
| 5.2 电压大小对Au/Ga_2O_(3-x)/NSTO/Au结构的阻变机制分析 | 第51-53页 |
| 5.3 电压极性对Au/Ga_2O_(3-x)/NSTO/Au结构的阻变机制分析 | 第53-55页 |
| 5.4 Au/Ga_2O_(3-x)/NSTO/Au结构的阻变结果分析 | 第55-58页 |
| 5.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-62页 |
| 硕士期间研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
