摘要 | 第4-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
目录 | 第8-11页 |
第一章 绪论 | 第11-25页 |
1.1 太阳能电池简介 | 第13-17页 |
1.1.1 基本原理 | 第13-15页 |
1.1.2 基本参数 | 第15-16页 |
1.1.3 薄膜太阳能电池的发展 | 第16-17页 |
1.2 铜锌锡硫(CZTS)薄膜太阳能电池特性 | 第17-21页 |
1.2.1 CZTS 薄膜材料的基本性质 | 第17-19页 |
1.2.2 CZTS 薄膜太阳能电池结构 | 第19-21页 |
1.3 铜锌锡硫(CZTS)薄膜太阳电池缓冲层材料 | 第21-24页 |
1.3.1 硫化镉(CdS)薄膜材料的作用 | 第21-23页 |
1.3.2 硫化镉(CdS)薄膜的成膜机理 | 第23-24页 |
1.4 本论文的选题依据和研究内容 | 第24-25页 |
第二章 硫化镉薄膜的制备技术和表征手段 | 第25-35页 |
2.1 硫化镉薄膜的制备技术 | 第25-28页 |
2.1.1 化学水浴法 | 第25-26页 |
2.1.2 其他几种制备技术 | 第26-28页 |
2.2 热退火设备 | 第28页 |
2.3 硫化镉薄膜的性能表征手段 | 第28-35页 |
2.3.1 X 射线衍射(XRD) | 第28-30页 |
2.3.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第30-31页 |
2.3.3 X 射线能量色散谱(EDS) | 第31页 |
2.3.4 紫外-可见吸收光谱 | 第31-33页 |
2.3.5 拉曼光谱 | 第33-35页 |
第三章 化学水浴法制备硫化镉薄膜 | 第35-47页 |
3.1 前言 | 第35页 |
3.2 硫化镉薄膜的制备 | 第35-38页 |
3.3 硫化镉薄膜的表征 | 第38-45页 |
3.3.1 硫化镉薄膜材料的结构分析 | 第38-39页 |
3.3.2 硫化镉薄膜材料的形貌分析 | 第39-42页 |
3.3.3 硫化镉薄膜材料的光学性质分析 | 第42-45页 |
3.4 本章小结 | 第45-47页 |
第四章 实验参数对硫化镉薄膜的影响 | 第47-66页 |
4.1 前言 | 第47页 |
4.2 PH 值对硫化镉薄膜晶体质量和性能的影响 | 第47-53页 |
4.3 不同的(NH_2)_2SC 浓度对硫化镉薄膜性能的影响 | 第53-58页 |
4.4 退火温度对硫化镉薄膜的质量和性能的影响 | 第58-63页 |
4.4.1 配制反应溶液 | 第58-59页 |
4.4.2 退火前后的 CdS 薄膜光学带隙比较 | 第59页 |
4.4.3 退火温度对 CdS 薄膜结构和晶体质量的影响 | 第59-61页 |
4.4.4 退火温度对 CdS 薄膜表面的影响 | 第61-63页 |
4.5 沉积时间对硫化镉薄膜厚度的影响 | 第63-64页 |
4.6 本章小结 | 第64-66页 |
第五章 全文总结 | 第66-68页 |
参考文献 | 第68-74页 |
致谢 | 第74-75页 |