| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-17页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第9-10页 |
| 1.1.1 引言 | 第9页 |
| 1.1.2 金属基板的发展和分类 | 第9-10页 |
| 1.2 铝合金及其表面处理 | 第10-12页 |
| 1.2.1 铝及铝合金基板 | 第10-11页 |
| 1.2.2 阳极氧化技术 | 第11-12页 |
| 1.3 微弧氧化技术 | 第12-13页 |
| 1.3.1 微弧氧化技术的原理 | 第12页 |
| 1.3.2 微弧氧化的技术特点 | 第12-13页 |
| 1.3.3 微弧氧化膜的形成及性能 | 第13页 |
| 1.4 微弧氧化膜层绝缘性能的研究现状 | 第13-15页 |
| 1.4.1 关于绝缘的相关概念 | 第13-14页 |
| 1.4.2 微弧氧化膜的绝缘性 | 第14页 |
| 1.4.3 微弧氧化膜的绝缘性能的影响因素 | 第14-15页 |
| 1.5 本课题的研究目的及意义 | 第15页 |
| 1.6 本课题的研究内容 | 第15-17页 |
| 2 实验材料及检测 | 第17-23页 |
| 2.1 实验材料与设备 | 第17-18页 |
| 2.2 实验步骤 | 第18-19页 |
| 2.2.1 实验前处理 | 第18页 |
| 2.2.2 电解液的配制 | 第18页 |
| 2.2.3 试样的制备 | 第18-19页 |
| 2.3 微弧氧化膜的性能测试 | 第19-23页 |
| 2.3.1 反应时间 | 第19页 |
| 2.3.2 厚度测试 | 第19-20页 |
| 2.3.3 粗糙度测试 | 第20页 |
| 2.3.4 击穿电压测试及击穿强度计算 | 第20-21页 |
| 2.3.5 孔隙率分析 | 第21页 |
| 2.3.6 物相检测 | 第21页 |
| 2.3.7 显微结构的观察 | 第21-22页 |
| 2.3.8 化学元素分析 | 第22-23页 |
| 3 微弧氧化膜的化学成分对绝缘性能的影响 | 第23-37页 |
| 3.1 偏铝酸钠溶液对氧化膜绝缘性能的影响研究 | 第23-27页 |
| 3.1.1 氧化膜的击穿电压和击穿强度随厚度变化分析 | 第23页 |
| 3.1.2 氧化膜的化学成分分析 | 第23-24页 |
| 3.1.3 氧化膜的相结构 | 第24-25页 |
| 3.1.4 氧化膜的表面形貌 | 第25-26页 |
| 3.1.5 氧化膜的截面元素分析 | 第26-27页 |
| 3.2 硅酸钠溶液对氧化膜绝缘性能的影响研究 | 第27-30页 |
| 3.2.1 氧化膜的击穿电压随厚度变化分析 | 第27页 |
| 3.2.2 氧化膜的化学成分分析 | 第27-28页 |
| 3.2.3 氧化膜的相结构 | 第28-29页 |
| 3.2.4 氧化膜的表面形貌 | 第29-30页 |
| 3.2.5 氧化膜的截面元素分析 | 第30页 |
| 3.3 铬酸钾溶液对氧化膜绝缘性能的影响研究 | 第30-34页 |
| 3.3.1 氧化膜的击穿电压随厚度变化分析 | 第30-31页 |
| 3.3.2 氧化膜的化学成分分析 | 第31-32页 |
| 3.3.3 氧化膜的相结构 | 第32页 |
| 3.3.4 氧化膜的表面形貌 | 第32-33页 |
| 3.3.5 氧化膜的截面元素分析 | 第33-34页 |
| 3.4 对比分析 | 第34-35页 |
| 3.4.1 氧化膜的厚度随时间变化关系 | 第34-35页 |
| 3.4.2 氧化膜的击穿电压与其孔隙率的关系探究 | 第35页 |
| 3.5 本章小结 | 第35-37页 |
| 4 铬酸钾在溶液中的添加量对氧化膜绝缘性能的影响 | 第37-49页 |
| 4.1 铬酸钾的添加量对膜层厚度增长率的影响 | 第37-38页 |
| 4.2 铬酸钾的添加量对膜层击穿电压的影响 | 第38-40页 |
| 4.3 铬酸钾的含量对氧化膜成分与相组成的影响 | 第40-42页 |
| 4.3.1 氧化膜的相组成 | 第40-41页 |
| 4.3.2 氧化膜的化学元素分析 | 第41-42页 |
| 4.4 铬酸钾的含量对氧化膜表面形貌的影响 | 第42-47页 |
| 4.4.1 膜层生长初期 | 第43-44页 |
| 4.4.2 膜层生长中期 | 第44-45页 |
| 4.4.3 膜层生长后期 | 第45-46页 |
| 4.4.4 对比分析 | 第46-47页 |
| 4.5 本章小结 | 第47-49页 |
| 5 封孔处理对微弧氧化膜绝缘性能的影响分析 | 第49-61页 |
| 5.1 封孔工艺的选择 | 第49页 |
| 5.2 硅烷偶联剂封孔 | 第49-51页 |
| 5.2.1 硅烷偶联剂概述 | 第49-50页 |
| 5.2.2 硅烷偶联剂水解工艺 | 第50页 |
| 5.2.3 封孔与固化 | 第50-51页 |
| 5.3 封孔后微弧氧化膜的形貌变化分析 | 第51-57页 |
| 5.3.1 氧化膜的表面粗糙度 | 第51-52页 |
| 5.3.2 表面完全封闭的氧化膜 | 第52-54页 |
| 5.3.3 表面未完全封闭的氧化膜 | 第54-56页 |
| 5.3.4 影响氧化膜表面封孔效果的原因分析 | 第56-57页 |
| 5.4 封孔后微弧氧化膜的绝缘性变化 | 第57-60页 |
| 5.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 6 结论 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-68页 |