| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-44页 |
| 1.1 钙钛矿型氧化物 | 第12-15页 |
| 1.1.1 钙铁矿型氧化物的结构 | 第12-14页 |
| 1.1.2 几种典型的钙钛矿型氧化物 | 第14-15页 |
| 1.2 反射式高能电子衍射(RHEED) | 第15-19页 |
| 1.2.1 RHEED振荡曲线的发展 | 第15-17页 |
| 1.2.2 RHEED振荡曲线的来源 | 第17-19页 |
| 1.3 LaAlO_3/SrTiO_3 (LAO/STO)界面 | 第19-32页 |
| 1.3.1 LAO/STO界面二维电子气的发现 | 第19-21页 |
| 1.3.2 LAO/STO界面的新奇物理性质 | 第21-24页 |
| 1.3.3 LAO/STO界面输运性质的物理机制 | 第24-29页 |
| 1.3.4 LAO/h-STO/STO异质结的研究与进展 | 第29-32页 |
| 1.4 Mott绝缘体LaTiO_3金属绝缘体相变 | 第32-35页 |
| 1.5 本论文的研究意义及研究内容 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-44页 |
| 第二章 氧化物薄膜制备工艺和表征手段 | 第44-61页 |
| 2.1 氧化物分子束外延生长技术(Oxide-MBE) | 第44-50页 |
| 2.1.1 MBE基本原理及设备组成 | 第44-48页 |
| 2.1.2 分子束流的产生 | 第48-50页 |
| 2.1.3 Oxide-MBE的特点 | 第50页 |
| 2.2 反射式高能电子衍射(RHEED) | 第50-52页 |
| 2.3 高分辨X射线衍射(HRXRD) | 第52-54页 |
| 2.4 透射电子显微镜(TEM) | 第54-55页 |
| 2.5 原子力显微镜(AFM) | 第55-57页 |
| 2.6 样品输运性质测试 | 第57-60页 |
| 2.6.1 四探针法 | 第57-58页 |
| 2.6.2 综合物性测试系统(PPMS) | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-61页 |
| 第三章 RHEED振荡曲线相位移和双峰现象的产生机理及应用 | 第61-83页 |
| 3.1 RHEED振荡曲线的来源及SrTiO_3薄膜生长振荡曲线 | 第61-67页 |
| 3.1.1 RHEED振荡曲线的来源及基本振荡行为 | 第61-64页 |
| 3.1.2 同质外延SrTiO_3薄膜的RHEED振荡曲线 | 第64-66页 |
| 3.1.3 RHEED振荡曲线的相位移和双峰现象 | 第66-67页 |
| 3.2 RHEED强度振荡曲线相位移及双峰现象的数据采集 | 第67-70页 |
| 3.2.1 实验参数及数据采集 | 第67-68页 |
| 3.2.2 RHEED电子束入射角的调节以及实际入射角的计算 | 第68-70页 |
| 3.3 RHEED衍射强度模拟及平均内势能拟合 | 第70-73页 |
| 3.3.1 RHEED衍射强度的模拟 | 第70-72页 |
| 3.3.2 SrTiO_3生长过程中平均内势能的拟合 | 第72-73页 |
| 3.4 RHEED振荡的反相和双峰现象的物理机制 | 第73-76页 |
| 3.5 LAO/h-STO/STO异质结界面二维电子气 | 第76-80页 |
| 3.5.1 LAO/STO异质结的生长及界面二维电子气 | 第76-79页 |
| 3.5.2 LAO/h-STO/STO异质结的生长及界面二维电子气 | 第79-80页 |
| 3.6 本章小结 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-83页 |
| 第四章 Mott绝缘体LaTiO_3金属绝缘体相变 | 第83-90页 |
| 4.1 LaTiO_3外延薄膜的生长及输运性质 | 第84-88页 |
| 4.1.1 LaTiO_3薄膜的生长与表征 | 第84-85页 |
| 4.1.2 LaTiO_x薄膜输运性质的研究 | 第85-88页 |
| 4.2 本章小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-90页 |
| 第五章 总结与展望 | 第90-92页 |
| 硕士期间学术成果 | 第92-93页 |
| 致谢 | 第93-94页 |
