| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 课题来源及研究背景和意义 | 第11页 |
| 1.2 国内外发展现状 | 第11-18页 |
| 1.2.1 相变材料的分类 | 第12-15页 |
| 1.2.2 相变材料的封装 | 第15页 |
| 1.2.3 相变材料强化传热的方法 | 第15-16页 |
| 1.2.4 相变材料的主要应用 | 第16-18页 |
| 1.3 Al-Si 合金相变储能材料国内外研究现状 | 第18-21页 |
| 1.3.1 Al-Si 合金相变储能材料的研究进展 | 第18-19页 |
| 1.3.2 固–液相变材料的封装 | 第19-20页 |
| 1.3.3 Al-Si 合金相变储能材料的封装 | 第20-21页 |
| 1.4 纳米 SiC 的分散 | 第21-22页 |
| 1.4.1 SiC 的性能 | 第21页 |
| 1.4.2 纳米 SiC 的分散改性 | 第21-22页 |
| 1.5 主要研究内容 | 第22-23页 |
| 第2章 实验材料与方法 | 第23-26页 |
| 2.1 实验材料 | 第23页 |
| 2.2 主要实验设备 | 第23-24页 |
| 2.3 分析测试方法 | 第24-26页 |
| 2.3.1 粒径分析 | 第24页 |
| 2.3.2 Zeta 电位分析 | 第24页 |
| 2.3.3 透射电镜分析 | 第24页 |
| 2.3.4 扫描电镜分析 | 第24-25页 |
| 2.3.5 X 射线衍射分析 | 第25页 |
| 2.3.6 傅里叶红外光谱分析 | 第25页 |
| 2.3.7 TG/DSC 分析 | 第25页 |
| 2.3.8 热导率分析 | 第25-26页 |
| 第3章 Al-Si/Al_2O_3-SiC 核壳颗粒的制备与工艺参数影响研究 | 第26-42页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 原料的粒径分布 | 第26-27页 |
| 3.2.1 Al-Si 合金粉 | 第26-27页 |
| 3.2.2 SiC 纳米粉 | 第27页 |
| 3.3 SiC 纳米粉的分散改性与表征 | 第27-30页 |
| 3.3.1 SiC 纳米粉的分散机理 | 第28-29页 |
| 3.3.2 分散改性对 SiC 粉体 Zeta 电位的影响 | 第29-30页 |
| 3.4 Al_2O_3-SiC 复合壳层的制备工艺方法研究 | 第30-35页 |
| 3.4.1 Zeta 电位分析 | 第30-31页 |
| 3.4.2 TEM 分析 | 第31-34页 |
| 3.4.3 沉降实验分析 | 第34-35页 |
| 3.5 Al-Si/Al_2O_3-SiC 核壳结构的制备工艺方法研究 | 第35-41页 |
| 3.5.1 Al_2O_3溶胶的制备 | 第36-37页 |
| 3.5.2 Al-Si 合金粒子的改性 | 第37-39页 |
| 3.5.3 Al_2O_3-SiC 复合壳层的制备 | 第39-40页 |
| 3.5.4 Al-Si/Al_2O_3-SiC 核壳结构颗粒的制备工艺研究 | 第40-41页 |
| 3.6 本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 Al-Si/Al_2O_3-SiC 核壳结构的组织与性能表征 | 第42-62页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 Al-Si/Al_2O_3-SiC 核壳结构的相组成与微观形貌 | 第42-52页 |
| 4.2.1 相组成分析 | 第42-45页 |
| 4.2.2 微观形貌分析 | 第45-47页 |
| 4.2.3 高分辨扫描电镜分析 | 第47-49页 |
| 4.2.4 微观成分分析 | 第49-51页 |
| 4.2.5 红外光谱分析 | 第51-52页 |
| 4.3 改性粉体法制备 Al-Si/Al_2O_3-SiC 核壳结构原理分析 | 第52-54页 |
| 4.3.1 改性 Al-Si 粉体的改性机理分析 | 第52-53页 |
| 4.3.2 改性 SiC 粉体的改性机理分析 | 第53-54页 |
| 4.4 Al-Si/Al_2O_3-SiC 核壳粒子热物性分析 | 第54-61页 |
| 4.4.1 Al-Si/Al_2O_3-SiC 核壳粒子相变潜热分析 | 第54-59页 |
| 4.4.2 Al-Si/Al_2O_3-SiC 核壳粒子导热性能分析 | 第59-60页 |
| 4.4.3 Al-Si/Al_2O_3-SiC 核壳粒子抗热渗漏性分析 | 第60-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
