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KTN薄膜制备与PLD机理研究

摘 要第3-5页
Abstract第5页
1 绪 论第10-28页
    1.1 常见的薄膜材料制备方法第10-14页
    1.2 铁电薄膜材料的结构、性能与应用第14-16页
    1.3 钽铌酸钾(KTN)材料的结构与性能第16-20页
    1.4 KTN薄膜制备的理论和实验研究现状及发展趋势第20-24页
    1.5 本课题研究的主要目的和内容第24-28页
2 脉冲激光沉积技术(PLD技术)第28-43页
    2.1 PLD发展过程第28-31页
    2.2 PLD技术制备薄膜的实验工艺和独特优点第31-35页
    2.3 PLD制备过程的一般描述第35-43页
3 PLD制备KTN薄膜的实验及工艺条件优化研究第43-49页
    3.1 KTN陶瓷靶材的制备第43-45页
    3.2 KTN薄膜的沉积第45-47页
    3.3 KTN薄膜的制备工艺条件第47-48页
    3.4 小结第48-49页
4 脉冲激光烧蚀块靶动态界面研究第49-63页
    4.1 激光烧蚀产生的烧蚀面的位置演化规律第49-53页
    4.2 烧蚀方程的导热方程和定解条件第53-56页
    4.3 液相区和固相区的温度演化规律第56-62页
    4.4 小结第62-63页
5 等离子体的演化规律研究第63-74页
    5.1 脉冲激光烧蚀产生的等离子体发射第63-65页
    5.2 等离子体的空间膨胀第65-69页
    5.3 激光工作参数与沉积薄膜特性关系第69-73页
    5.4 小结第73-74页
6 脉冲激光烧蚀产生的冲击波研究第74-89页
    6.1 有限爆炸时间的冲击波模型的建立第74-81页
    6.2 冲击波的渐近行为的研究第81-87页
    6.3 小结第87-89页
7 结 论第89-92页
致 谢第92-93页
参考文献第93-105页

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