GeSn发光二极管研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 引言 | 第15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-21页 |
| 1.3 章节安排 | 第21-23页 |
| 第二章 GeSn合金材料特性研究 | 第23-35页 |
| 2.1 GeSn合金材料的基本性质 | 第23-28页 |
| 2.1.1 Si，Ge和Sn的物理性质 | 第23-24页 |
| 2.1.2 晶格结构 | 第24-26页 |
| 2.1.3 能带结构 | 第26-28页 |
| 2.2 GeSn合金的光学特性及其应用 | 第28-30页 |
| 2.2.1 GeSn合金的光学特性 | 第28页 |
| 2.2.2 GeSn合金光学特性的应用 | 第28-30页 |
| 2.3 GeSn合金材料的电学特性及其应用 | 第30-32页 |
| 2.3.1 GeSn合金材料电学特性 | 第30-31页 |
| 2.3.2 GeSn合金材料电学特性的应用 | 第31-32页 |
| 2.4 GeSn合金材料的工艺 | 第32页 |
| 2.5 本章小结 | 第32-35页 |
| 第三章 基于GeSn的发光二极管结构设计 | 第35-41页 |
| 3.1 GeSn发光二极管结构设计 | 第35-36页 |
| 3.2 GeSn发光二极管的光电特性 | 第36-39页 |
| 3.2.1 GeSn发光二极管的电学特性 | 第36-37页 |
| 3.2.2 GeSn发光二极管的光学特性 | 第37-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 GeSn发光二极管仿真 | 第41-65页 |
| 4.1 Silvaco仿真软件介绍 | 第41-42页 |
| 4.2 GeSn发光二极管仿真 | 第42-50页 |
| 4.3 分析与讨论 | 第50-63页 |
| 4.3.1 Sn含量对器件特性的影响 | 第50-54页 |
| 4.3.2 本征层厚度对器件特性的影响 | 第54-58页 |
| 4.3.3 掺杂浓度对器件特性的影响 | 第58-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
