摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
1 绪论 | 第9-18页 |
1.1 引言 | 第9-11页 |
1.2 场效应晶体管工作原理 | 第11-12页 |
1.3 光电探测器工作原理 | 第12页 |
1.4 纳米线光电器件概述 | 第12-16页 |
1.5 本论文研究目的和研究内容 | 第16-18页 |
2 基于硅基和柔性基底的单晶掺氮磷化铟纳米线低功耗场效应晶体管和光电探测器研究 | 第18-32页 |
2.1 引言 | 第18-19页 |
2.2 实验部分 | 第19-20页 |
2.2.1 氮元素掺杂磷化铟纳米线的合成 | 第19页 |
2.2.2 单根掺氮磷化铟纳米线光电探测器的制作 | 第19页 |
2.2.3 单根掺氮磷化铟纳米线与P3HT复合光电探测器制作 | 第19-20页 |
2.3 结果与讨论 | 第20-30页 |
2.4 本章小结 | 第30-32页 |
3 单晶p型砷化镉纳米线的光电性质研究 | 第32-40页 |
3.1 引言 | 第32页 |
3.2 实验部分 | 第32-33页 |
3.3 结果与讨论 | 第33-39页 |
3.4 本章小结 | 第39-40页 |
4 合成Ⅱ-Ⅵ和Ⅲ-Ⅴ族纳米管的新技术 | 第40-56页 |
4.1 前言 | 第40-41页 |
4.2 实验部分 | 第41-42页 |
4.3 结果与讨论 | 第42-55页 |
4.4 本章小结 | 第55-56页 |
5 总结与展望 | 第56-58页 |
5.1 论文工作总结 | 第56-57页 |
5.2 问题与展望 | 第57-58页 |
致谢 | 第58-60页 |
参考文献 | 第60-69页 |
附录1 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第69页 |