| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 半导体纳米材料的合成方法 | 第10-17页 |
| 1.2.1 模板法 | 第11页 |
| 1.2.2 气相法 | 第11-15页 |
| 1.2.3 液相法 | 第15-17页 |
| 1.3 半导纳米激光器简介 | 第17-20页 |
| 1.4 压电光电子学简介 | 第20-23页 |
| 1.4.1 压电效应 | 第20页 |
| 1.4.2 压电光电子学的产生 | 第20-21页 |
| 1.4.3 压电电子学效应对金属-半导体接触的影响 | 第21-22页 |
| 1.4.4 压电电子学对PN结接触的影响 | 第22-23页 |
| 1.5 微纳米加工技术简介 | 第23-27页 |
| 1.5.1 光刻的基本原理 | 第24-25页 |
| 1.5.2 光刻的曝光方法 | 第25-26页 |
| 1.5.3 光刻的工艺流程 | 第26-27页 |
| 1.6 本文的选题思想及结构安排 | 第27-29页 |
| 第二章 纳米线/微米线的制备及表征 | 第29-54页 |
| 2.1 实验原料与设备 | 第29-36页 |
| 2.1.1 实验原料 | 第29-30页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第30-36页 |
| 2.2 CdS纳米带的生长及表征 | 第36-41页 |
| 2.2.1 实验方法 | 第36-38页 |
| 2.2.2 催化生长CdS纳米带的表征 | 第38-41页 |
| 2.3 GaN纳米/微米线的生长及表征 | 第41-45页 |
| 2.3.1 实验方法 | 第41-42页 |
| 2.3.2 GaN纳米线/微米线的表征 | 第42-45页 |
| 2.4 ZnO纳米线的水热生长及表征 | 第45-52页 |
| 2.4.1 ITO基底水热法生长ZnO纳米线 | 第45-46页 |
| 2.4.2 ITO基底图案化生长ZnO纳米线阵列 | 第46-51页 |
| 2.4.3 n-GaN基底水热外延生长单根ZnO微米线 | 第51-52页 |
| 2.5 本章小结 | 第52-54页 |
| 第三章 半导体纳米激光器的研究 | 第54-65页 |
| 3.1 光泵浦半导体纳米激光器简介 | 第54-58页 |
| 3.2 基于单根CdS纳米带的光泵浦激光器 | 第58-61页 |
| 3.2.1 单根CdS纳米带的分散及测试仪器 | 第58页 |
| 3.2.2 单根CdS纳米带激光模式分析 | 第58-60页 |
| 3.2.3 单根CdS纳米带尺寸对激射的影响 | 第60-61页 |
| 3.3 基于GaN微米线的光泵浦激光器 | 第61-62页 |
| 3.4 基于GaN微米线的LED | 第62-64页 |
| 3.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 基于Zn O纳米线OLED器件的制备及性能研究 | 第65-77页 |
| 4.1 压电光电子学效应增强LED的简介 | 第65-67页 |
| 4.2 实验设备 | 第67-69页 |
| 4.2.1 高真空蒸发镀膜系统 | 第67-68页 |
| 4.2.2 压电性能测试系统 | 第68-69页 |
| 4.3 基于ZnO纳米线阵列OLED器件的制备 | 第69-70页 |
| 4.4 基于ZnO纳米线OLED器件光电性能的研究 | 第70-74页 |
| 4.5 基于ZnO纳米线OLED器件压电性能的研究 | 第74-76页 |
| 4.6 本章小结 | 第76-77页 |
| 第五章 结论与展望 | 第77-79页 |
| 5.1 结论 | 第77页 |
| 5.2 展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-84页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
