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SiO2介电衬底上石墨烯的直接生长及其机理研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
第1章 绪论第8-27页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第8-9页
    1.2 石墨烯的结构与性能第9-11页
    1.3 石墨烯的制备方法第11-14页
        1.3.1 化学气相沉积法(CVD)第11-14页
        1.3.2 其他主要制备方法第14页
    1.4 国内外介电衬底上制备石墨烯的研究现状与分析第14-24页
        1.4.1 退火合成法第15-17页
        1.4.2 CVD法合成第17-24页
    1.5 石墨烯的应用第24-25页
    1.6 本文的主要研究内容第25-27页
第2章 实验设备、药品与实验方法第27-32页
    2.1 实验设备与试剂第27-28页
        2.1.1 实验设备第27-28页
        2.1.2 实验试剂第28页
    2.2 实验方法第28-32页
        2.2.1 光学显微镜分析第28-29页
        2.2.2 拉曼光谱分析第29页
        2.2.3 X射线光电子能谱分析第29-30页
        2.2.4 原子力显微镜分析第30页
        2.2.5 透射电子显微镜分析第30-31页
        2.2.6 电学性能测试分析第31-32页
第3章 常压CVD法乙醇制备石墨烯及其性能的研究第32-40页
    3.1 引言第32页
    3.2 石墨烯薄膜的制备第32-34页
    3.3 石墨烯的表征第34-37页
        3.3.1 石墨烯的光学及拉曼表征第34-35页
        3.3.2 石墨烯的XPS表征第35-36页
        3.3.3 石墨烯的结构表征第36-37页
    3.4 石墨烯薄膜的电学性能表征第37-38页
        3.4.1 石墨烯场效应晶体管(FET)的构筑第37页
        3.4.2 石墨烯场效应晶体管的电学性能表征第37-38页
    3.5 本章小结第38-40页
第4章 气态铜催化乙醇制备石墨烯的生长机理研究第40-48页
    4.1 引言第40页
    4.2 不同生长阶段石墨烯的结构表征第40-43页
    4.3 不同生长阶段石墨烯的化学组成表征第43-47页
    4.4 本章小结第47-48页
第5章 低压CVD法甲醇制备石墨烯及其性能的研究第48-65页
    5.1 引言第48页
    5.2 低压铜催化甲醇制备石墨烯薄膜第48-50页
    5.3 生长条件对石墨烯薄膜的形貌和质量的影响第50-59页
        5.3.1 生长温度的影响第50-52页
        5.3.2 氢气浓度的影响第52-55页
        5.3.3 生长时间的影响第55-59页
    5.4 石墨烯薄膜的性能表征第59-62页
        5.4.1 石墨烯的光学和拉曼表征第59-60页
        5.4.2 石墨烯的XPS表征第60-61页
        5.4.3 石墨烯的结构表征第61-62页
    5.5 石墨烯场效应晶体管的构筑及其电学性能的表征第62-63页
    5.6 本章小结第63-65页
结论第65-66页
参考文献第66-72页
攻读学位期间发表的学术论文及申请专利第72-74页
致谢第74页

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