| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-32页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 MoS_2的基本特性 | 第9-12页 |
| 1.2.1 MoS_2的基本结构 | 第9-10页 |
| 1.2.2 MoS_2的价态结构 | 第10-12页 |
| 1.3 MoS_2的生长与制备 | 第12-20页 |
| 1.3.1 "自上而下"法 | 第13-16页 |
| 1.3.2 "自下而上"法 | 第16-20页 |
| 1.4 MoS_2的应用 | 第20-26页 |
| 1.4.1 电子器件 | 第20-21页 |
| 1.4.2 光电器件 | 第21-22页 |
| 1.4.3 传感器 | 第22-23页 |
| 1.4.4 储能材料 | 第23-25页 |
| 1.4.5 光催化 | 第25-26页 |
| 1.5 本文的思路以及内容 | 第26-27页 |
| 参考文献 | 第27-32页 |
| 第二章 实验设备与表征 | 第32-37页 |
| 2.1 实验材料与仪器 | 第32-33页 |
| 2.2 材料表征 | 第33-35页 |
| 2.2.1 X射线衍射分析(XRD) | 第33-34页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(SEM) | 第34页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜(TEM) | 第34页 |
| 2.2.4 拉曼光谱分析(Raman) | 第34-35页 |
| 2.2.5 比表面积和孔径分析仪(BET) | 第35页 |
| 2.2.6 原子力显微镜(AFM) | 第35页 |
| 2.3 电化学性能测试 | 第35-37页 |
| 2.3.1 实验设备 | 第35-36页 |
| 2.3.2 循环伏安测试(CV) | 第36页 |
| 2.3.3 恒电流充放电测试(GCD) | 第36-37页 |
| 第三章 水热合成红毛丹状MoS_2/碳球介孔复合物及其超级电容器性能研究 | 第37-51页 |
| 3.1 引言 | 第37-38页 |
| 3.2 MoS_2/Cs复合结构的制备 | 第38页 |
| 3.2.1 介孔碳球的制备 | 第38页 |
| 3.2.2 红毛丹状硫化钼/碳球(MoS_2/Cs)的复合材料的制备 | 第38页 |
| 3.3 材料表征 | 第38-44页 |
| 3.3.1 XRD表征分析 | 第38-39页 |
| 3.3.2 样品的形貌表征 | 第39-42页 |
| 3.3.3 BET测试 | 第42-44页 |
| 3.4 电化学性能测试 | 第44-49页 |
| 3.4.1 电极的制备 | 第44页 |
| 3.4.2 CV测试 | 第44-46页 |
| 3.4.3 GCD测试 | 第46-47页 |
| 3.4.4 循环稳定性测试 | 第47页 |
| 3.4.5 交流阻抗测试(EIS)测试 | 第47-49页 |
| 3.5 总结 | 第49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第四章 单层多晶二硫化钼的生长以及光电性质 | 第51-65页 |
| 4.1 引言 | 第51-52页 |
| 4.2 实验过程 | 第52-53页 |
| 4.2.1 Si/SiO_2基底的清洗 | 第52页 |
| 4.2.2 单层多晶二硫化钼制备 | 第52-53页 |
| 4.3 材料表征 | 第53-58页 |
| 4.3.1 OM和SEM表征 | 第53-55页 |
| 4.3.2 Raman测试 | 第55-56页 |
| 4.3.3 AFM测试 | 第56页 |
| 4.3.4 TEM测试 | 第56-58页 |
| 4.4 输出特性测试 | 第58-62页 |
| 4.4.1 合成单层多晶二硫化钼光探测器 | 第58-59页 |
| 4.4.2 电子特性测试 | 第59-61页 |
| 4.4.3 光响应测试 | 第61-62页 |
| 4.5 总结 | 第62页 |
| 参考文献 | 第62-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 硕士期间发表的论文 | 第66页 |