屏蔽腔体内微带电路的电磁干扰分析
摘要 | 第6-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第11-15页 |
1.1 研究背景及意义 | 第11-12页 |
1.2 国内外研究现状 | 第12-13页 |
1.3 论文的主要工作和结构安排 | 第13-15页 |
第2章 非均匀时域有限差分法的基本原理 | 第15-31页 |
2.1 引言 | 第15页 |
2.2 FDTD的基本理论 | 第15-18页 |
2.3 数值稳定性条件 | 第18-21页 |
2.3.1 解的稳定性条件 | 第19-20页 |
2.3.2 数值色散 | 第20-21页 |
2.4 吸收边界条件 | 第21-24页 |
2.4.1 Mur吸收边界条件 | 第22-23页 |
2.4.2 各向异性介质完全匹配层 | 第23-24页 |
2.5 非均匀网格剖分原则 | 第24-28页 |
2.5.1 网格划分的原则 | 第25页 |
2.5.2 渐变非均匀网格 | 第25-27页 |
2.5.3 Pade函数拟合 | 第27-28页 |
2.6 多网格集总元件的FDTD算法 | 第28-30页 |
2.6.1 电感 | 第29页 |
2.6.2 电容 | 第29-30页 |
2.7 本章小结 | 第30-31页 |
第3章 微带线耦合的FDTD混合算法研究 | 第31-36页 |
3.1 概述 | 第31页 |
3.2 微带耦合电路的模型 | 第31-34页 |
3.2.1 耦合微带电路模型的空间非均匀离散 | 第31-32页 |
3.2.2 多网格集总元件的FDTD处理 | 第32-34页 |
3.3 混合算法正确性验证 | 第34-35页 |
3.4 本章小结 | 第35-36页 |
第4章 平面波照射下耦合微带线的电磁干扰分析 | 第36-42页 |
4.1 概述 | 第36页 |
4.2 微带耦合电路模型的仿真分析 | 第36-41页 |
4.2.1 线间距对耦合微带线电磁干扰特性的影响 | 第36-37页 |
4.2.2 耦合微带线长度对电磁干扰特性的影响 | 第37-38页 |
4.2.3 微带线的宽度对电磁干扰特性的影响 | 第38-40页 |
4.2.4 极化角α不同时的电磁干扰特性分析 | 第40-41页 |
4.3 本章小结 | 第41-42页 |
第5章 屏蔽腔体中微带电路的电磁干扰特性分析 | 第42-50页 |
5.1 概述 | 第42页 |
5.2 算法正确性验证 | 第42-44页 |
5.3 腔体内微带电路的电磁特性分析 | 第44-49页 |
5.3.1 腔体的屏蔽效应分析 | 第44-45页 |
5.3.2 线间距对腔体内微带电路干扰特性的影响 | 第45-46页 |
5.3.3 线宽度对腔体内微带电路干扰特性的影响 | 第46-47页 |
5.3.4 集总元件R、L、C的模拟 | 第47页 |
5.3.5 改变PCB板的位置对微带电路的影响 | 第47-49页 |
5.4 本章小结 | 第49-50页 |
总结与展望 | 第50-52页 |
致谢 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-56页 |
攻读硕士学位期间发表的论文及承担的科研项目 | 第56页 |