| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 符号说明 | 第7-10页 |
| 第一章 阻变存储器的研究现状概述 | 第10-15页 |
| 1.1 阻变存储器的研究现状 | 第10-11页 |
| 1.2 高密度阻变存储器的研究现状 | 第11-15页 |
| 第二章 阻变存储器的概述 | 第15-25页 |
| 2.1 阻变存储器的基本概述 | 第15-19页 |
| 2.1.1 结构及基本概念 | 第15-16页 |
| 2.1.2 主要性能评价参数 | 第16-19页 |
| 2.2 阻变存储器的阻变机制 | 第19-25页 |
| 2.2.1 空间电荷限制电流效应 | 第20-21页 |
| 2.2.2 金属型导电细丝机制(Filament模型) | 第21-23页 |
| 2.2.3 场助热电离效应(P-F效应) | 第23-25页 |
| 第三章 阻变单元的器件制备与电学性质表征 | 第25-31页 |
| 3.1 薄膜制备的工艺简介 | 第25-28页 |
| 3.2 薄膜的形貌分析 | 第28-29页 |
| 3.3 单元器件的制备流程和电学性能测试方法 | 第29-31页 |
| 第四章 Ta2O5-x/TaOy/AlO_x三层金属氧化物薄膜的阻变特性研究 | 第31-38页 |
| 4.1 阻变材料的研究背景 | 第31-32页 |
| 4.2 器件制备的工艺流程 | 第32-35页 |
| 4.3 Ta_2O_(5-x)/TaO_y/AlO_x薄膜的阻变特性 | 第35-38页 |
| 4.3.1 Pt/Ta_2O_(5-x)/TaO_y/AlO_x/Pt单元器件的微观结构 | 第35页 |
| 4.3.2 电学性能分析 | 第35-38页 |
| 第五章 基于TaOx二元金属氧化物的三维阻变存储器阻变特性研究 | 第38-49页 |
| 5.1 引言 | 第38-39页 |
| 5.2 器件制备 | 第39-42页 |
| 5.3 电学测试 | 第42-46页 |
| 5.4 阻变机理分析 | 第46-49页 |
| 第六章 基于TaOx二元金属氧化物的碳纳米管集成的阻变存储器阻变特性研究 | 第49-58页 |
| 6.1 引言 | 第49-50页 |
| 6.2 器件制备 | 第50-54页 |
| 6.3 电学测试 | 第54-57页 |
| 6.4 阻变机理分析 | 第57-58页 |
| 第七章 结论 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读硕士学位期间发表及完成的学术论文 | 第65页 |
