| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 引言 | 第11-12页 |
| 1 绪论 | 第12-22页 |
| 1.1 硫系玻璃材料概述 | 第12-14页 |
| 1.2 硫系光子学 | 第14页 |
| 1.3 硫系薄膜制备方法 | 第14-16页 |
| 1.4 硫系光波导制备方法 | 第16-20页 |
| 1.5 选题及研究意义 | 第20页 |
| 1.6 研究思路与内容 | 第20-22页 |
| 2 理论基础 | 第22-30页 |
| 2.1 非晶态结构模型 | 第22-23页 |
| 2.1.1 微晶模型 | 第22-23页 |
| 2.1.2 连续无规则网络模型 | 第23页 |
| 2.2 非晶态能带模型 | 第23-26页 |
| 2.2.1 安德森模型和迁移率边 | 第23-25页 |
| 2.2.2 Mott-CFO模型 | 第25-26页 |
| 2.2.3 Mott-Davis模型 | 第26页 |
| 2.3 Swanepoel包络法理论基础 | 第26-30页 |
| 2.3.1 薄膜样品的折射率及厚度计算 | 第26-28页 |
| 2.3.2 薄膜样品的带隙计算 | 第28-30页 |
| 3 薄膜制备及性能表征 | 第30-35页 |
| 3.1 硫系玻璃材料和组分的选择 | 第30页 |
| 3.2 Ge-Sb-Se玻璃靶材的制备 | 第30-32页 |
| 3.3 Ge-Sb-Se玻璃薄膜制备 | 第32-33页 |
| 3.4 材料性能表征 | 第33-35页 |
| 3.4.1 薄膜厚度测试 | 第33页 |
| 3.4.2 薄膜表面形貌测试 | 第33-34页 |
| 3.4.3 薄膜组分测试 | 第34页 |
| 3.4.4 XRD测试分析 | 第34页 |
| 3.4.5 薄膜透射吸收光谱测试 | 第34页 |
| 3.4.6 薄膜折射率测试 | 第34页 |
| 3.4.7 Raman光谱测试分析 | 第34-35页 |
| 4 Ge-Sb-Se薄膜的热致光学特性变化研究 | 第35-47页 |
| 4.1 前言 | 第35页 |
| 4.2 实验 | 第35-36页 |
| 4.2.1 样品制备 | 第35-36页 |
| 4.2.2 样品测试 | 第36页 |
| 4.3 结果与分析 | 第36-46页 |
| 4.3.1 XRD测试结果分析 | 第36-39页 |
| 4.3.2 透过测试结果分析 | 第39-40页 |
| 4.3.3 折射率结果分析 | 第40-41页 |
| 4.3.4 带隙结果分析 | 第41-43页 |
| 4.3.5 Raman结构分析 | 第43-46页 |
| 4.4 本章小结 | 第46-47页 |
| 5 Ge-Sb-Se光波导热压印制备技术研究 | 第47-60页 |
| 5.1 前言 | 第47-48页 |
| 5.2 热压印硫系光波导原理 | 第48-49页 |
| 5.3 热压印装置设计 | 第49-51页 |
| 5.4 热压印光波导工艺研究 | 第51-58页 |
| 5.4.1 Ge-Sb-Se薄膜的选择和制备 | 第51-52页 |
| 5.4.2 光波导结构设计 | 第52-53页 |
| 5.4.3 软模制备 | 第53页 |
| 5.4.4 热压法制备流程 | 第53-54页 |
| 5.4.5 Ge_(15)Sb_(20)Se_(65)薄膜压印工艺 | 第54-56页 |
| 5.4.6 Ge_(12.5)Sb_(10)Se_(77.5) 薄膜压印工艺 | 第56-58页 |
| 5.5 光波导传输损耗的测量 | 第58-59页 |
| 5.6 本章小结 | 第59-60页 |
| 6 全文总结及展望 | 第60-62页 |
| 6.1 全文总结 | 第60页 |
| 6.2 展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 在学研究成果 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |