锆钛酸铅压电薄膜的制备和表征
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 PZT压电材料的结构与性质 | 第9-12页 |
| 1.3 PZT压电薄膜的研究现状 | 第12-18页 |
| 1.3.1 PZT压电薄膜的应用 | 第12-15页 |
| 1.3.2 PZT压电薄膜的制备方法 | 第15-17页 |
| 1.3.3 PZT压电薄膜的研究进展 | 第17-18页 |
| 1.4 论文的研究意义和研究内容 | 第18-19页 |
| 2 PZT薄膜的制备与表征 | 第19-27页 |
| 2.1 PZT薄膜的制备 | 第19-22页 |
| 2.1.1 PZT溶胶的配制 | 第19-21页 |
| 2.1.2 PZT溶胶的旋涂 | 第21页 |
| 2.1.3 PZT薄膜热处理步骤 | 第21-22页 |
| 2.2 PZT薄膜的表征方法 | 第22-26页 |
| 2.2.1 PZT薄膜厚度的表征方法 | 第22-23页 |
| 2.2.2 PZT薄膜晶向的表征方法 | 第23页 |
| 2.2.3 PZT薄膜微观形貌的表征方法 | 第23-24页 |
| 2.2.4 PZT薄膜介电性能的表征方法 | 第24-25页 |
| 2.2.5 PZT薄膜铁电性能的表征方法 | 第25页 |
| 2.2.6 PZT薄膜振动性能的表征方法 | 第25-26页 |
| 2.3 本章小结 | 第26-27页 |
| 3 热处理工艺对PZT薄膜生长的影响 | 第27-39页 |
| 3.1 PZT薄膜结晶的物理过程 | 第27-28页 |
| 3.2 热解温度对PZT薄膜生长的影响 | 第28-32页 |
| 3.2.1 热解温度对PZT薄膜晶向生长的影响 | 第29-31页 |
| 3.2.2 热解温度对PZT薄膜微观结构的影响 | 第31-32页 |
| 3.3 退火温度对PZT薄膜生长的影响 | 第32-37页 |
| 3.3.1 退火温度对PZT薄膜晶向生长的影响 | 第33-34页 |
| 3.3.2 退火温度对PZT薄膜微观结构的影响 | 第34-35页 |
| 3.3.3 退火温度对PZT薄膜介电性能的影响 | 第35-37页 |
| 3.3.4 退火温度对PZT薄膜铁电性能的影响 | 第37页 |
| 3.4 本章小结 | 第37-39页 |
| 4 掺杂PZT薄膜的制备和表征 | 第39-57页 |
| 4.1 掺杂PZT概述 | 第39-40页 |
| 4.2 PGZT薄膜的制备和表征 | 第40-45页 |
| 4.2.1 PGZT薄膜的晶向表征 | 第40-42页 |
| 4.2.2 PGZT薄膜的微观结构表征 | 第42-43页 |
| 4.2.3 PGZT薄膜的介电性能表征 | 第43-45页 |
| 4.2.4 PGZT薄膜的铁电性能表征 | 第45页 |
| 4.3 PLZT薄膜的制备和表征 | 第45-54页 |
| 4.3.1 PLZT薄膜的晶向表征 | 第46-49页 |
| 4.3.2 PLZT薄膜的微观结构表征 | 第49-51页 |
| 4.3.3 PLZT薄膜的介电性能表征 | 第51-53页 |
| 4.3.4 PLZT薄膜的铁电性能表征 | 第53-54页 |
| 4.4 掺杂改性机理分析 | 第54-55页 |
| 4.5 本章小结 | 第55-57页 |
| 5 PZT压电微执行器的制作及其特性检测 | 第57-63页 |
| 5.1 PZT压电微执行器的制作 | 第57-58页 |
| 5.2 PZT压电微执行器的振动性能表征 | 第58-60页 |
| 5.3 PZT压电微执行器的喷墨测试 | 第60-62页 |
| 5.4 本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
