| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-29页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 钙钛矿锰氧化物 | 第10-20页 |
| 1.2.1 钙钛矿锰氧化物的晶体结构和电子结构 | 第10-13页 |
| 1.2.2 钙钛矿锰氧化物的基本物理性质 | 第13-20页 |
| 1.3 La_xSr_(1-x)MnO_3薄膜 | 第20-27页 |
| 1.3.1 应力作用 | 第20-23页 |
| 1.3.2 死层与薄膜厚度 | 第23-25页 |
| 1.3.3 氧空位 | 第25-27页 |
| 1.4 本论文的选题思路和研究内容 | 第27-29页 |
| 第二章 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜的制备与物性测量方法 | 第29-41页 |
| 2.1 氧化物薄膜设备方法简介 | 第29-31页 |
| 2.2 激光分子束外延技术和设备简介 | 第31-34页 |
| 2.3 反射式高能电子衍射仪（RHEED） | 第34-36页 |
| 2.4 LSMO薄膜的结构表征和物性测量 | 第36-40页 |
| 2.4.1 X射线衍射仪（XRD） | 第36-37页 |
| 2.4.2 X射线光电子能谱（XPS） | 第37-38页 |
| 2.4.3 扫描透射电子显微镜（STEM） | 第38-39页 |
| 2.4.4 原子力显微镜（AFM） | 第39页 |
| 2.4.5 综合物性测量系统（PPMS） | 第39-40页 |
| 2.5 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章 SrTiO_3(001)表面台阶对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜的影响 | 第41-55页 |
| 3.1 研究背景 | 第41-43页 |
| 3.2 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜的制备和结构表征 | 第43-48页 |
| 3.2.1 SrTiO_3(001)衬底表面台阶的处理方法 | 第43-44页 |
| 3.2.2 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜的生长条件和制备过程 | 第44-45页 |
| 3.2.3 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜的表面形貌和晶体结构表征 | 第45-47页 |
| 3.2.4 T-STO/LSMO的界面结构表征 | 第47-48页 |
| 3.3 衬底表面台阶对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜结构和物性的影响 | 第48-54页 |
| 3.3.1 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜表面SHG响应实验结果 | 第48-49页 |
| 3.3.2 界面处台阶对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜输运性质的影响 | 第49-52页 |
| 3.3.3 结果分析 | 第52-54页 |
| 3.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3超薄膜低温绝缘相的研究 | 第55-75页 |
| 4.1 研究背景 | 第55页 |
| 4.2 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜的制备和结构表征 | 第55-59页 |
| 4.2.1 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜的生长条件和制备过程 | 第55-57页 |
| 4.2.2 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜的表面形貌和晶体结构表征 | 第57-58页 |
| 4.2.3 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜的界面结构表征 | 第58-59页 |
| 4.3 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3超薄膜低温绝缘相的行为和机制 | 第59-64页 |
| 4.3.1 不同厚度La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3薄膜的金属导电性 | 第59-62页 |
| 4.3.2 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3超薄膜低温绝缘相的机制研究 | 第62-64页 |
| 4.4 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3超薄膜中存在的无序 | 第64-72页 |
| 4.4.1 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3超薄膜的磁矩无序 | 第65-67页 |
| 4.4.2 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3超薄膜中氧空位含量的定性分析 | 第67-70页 |
| 4.4.3 La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3超薄膜中的氧空位含量与Mn离子价态 | 第70-72页 |
| 4.5 本章小结 | 第72-75页 |
| 第五章 总结与展望 | 第75-79页 |
| 5.1 总结 | 第75-76页 |
| 5.2 创新点 | 第76页 |
| 5.3 对将来工作的展望 | 第76-79页 |
| 参考文献 | 第79-89页 |
| 个人简历及发表文章目录 | 第89-91页 |
| 致谢 | 第91-93页 |
