| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-11页 |
| 第一章 绪论 | 第15-53页 |
| 1.1 引言 | 第15页 |
| 1.2 金属-绝缘体-半导体(MIS)电容 | 第15-22页 |
| 1.2.1 理想MIS电容 | 第15-18页 |
| 1.2.2 表面空间电荷区 | 第18-19页 |
| 1.2.3 理想MIS的电容曲线 | 第19-22页 |
| 1.2.4 绝缘体内电荷 | 第22页 |
| 1.3 半导体存储器简介 | 第22-28页 |
| 1.3.1 浮栅型存储器 | 第24-26页 |
| 1.3.2 电荷俘获存储器 | 第26-28页 |
| 1.4 非易失性存储器的研究进展 | 第28-40页 |
| 1.4.1 铁电存储器(FeRAM) | 第28-30页 |
| 1.4.2 相变存储器(PCRAM) | 第30-32页 |
| 1.4.3 阻变存储器(ReRAM) | 第32-35页 |
| 1.4.4 纳米晶电荷俘获存储器(NCsCTM) | 第35-40页 |
| 1.5 本论文工作的意义、目的和内容 | 第40-42页 |
| 参考文献 | 第42-53页 |
| 第二章 薄膜的制备以及器件性能的表征 | 第53-62页 |
| 2.1 引言 | 第53页 |
| 2.2 原子层沉积技术(ALD) | 第53-56页 |
| 2.3 射频磁控溅射系统 | 第56-57页 |
| 2.4 性能表征 | 第57-58页 |
| 2.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 第三章 Al_2O_3-Cu_2O复合材料在电荷俘获存储器件中的应用研究 | 第62-74页 |
| 3.1 引言 | 第62页 |
| 3.2 器件的制备和HRTEM表征 | 第62-64页 |
| 3.3 电荷存储性能表征 | 第64-66页 |
| 3.4 CAO复合材料薄膜的XPS分析 | 第66-67页 |
| 3.5 写入/擦除速率表征 | 第67-68页 |
| 3.6 抗疲劳特性表征 | 第68页 |
| 3.7 数据保持能力表征 | 第68-70页 |
| 3.8 本章小结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
| 第四章 Al_2O_3-Cu_2O复合材料的组份对其电荷存储性能影响的研究 | 第74-86页 |
| 4.1 引言 | 第74页 |
| 4.2 HRTEM表征 | 第74-76页 |
| 4.3 电荷存储性能表征 | 第76-78页 |
| 4.4 CAO复合材料薄膜的XPS表征 | 第78-80页 |
| 4.5 写入/擦除速率、抗疲劳特性和数据保持能力表征 | 第80-81页 |
| 4.6 本章小结 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-86页 |
| 第五章 不同退火温度对Al_2O_3-Cu_2O体系电荷存储特性影响的研究 | 第86-97页 |
| 5.1 引言 | 第86页 |
| 5.2 HRTEM表征 | 第86-88页 |
| 5.3 电荷存储性能表征 | 第88-90页 |
| 5.4 CAO复合材料薄膜的XPS表征 | 第90-91页 |
| 5.5 写入/擦除速率、抗疲劳特性和数据保持能力表征 | 第91-93页 |
| 5.6 本章小结 | 第93-95页 |
| 参考文献 | 第95-97页 |
| 第六章 不同隧穿层厚度对Al_2O_3-Cu_2O复合材料电荷存储特性影响的研究 | 第97-106页 |
| 6.1 引言 | 第97页 |
| 6.2 器件的制备 | 第97-98页 |
| 6.3 电荷存储性能表征 | 第98-100页 |
| 6.4 写入/擦除速率、抗疲劳特性和数据保持能力表征 | 第100-102页 |
| 6.5 本章小结 | 第102-104页 |
| 参考文献 | 第104-106页 |
| 第七章 结论与展望 | 第106-109页 |
| 7.1 结论 | 第106-108页 |
| 7.2 展望 | 第108-109页 |
| Publication List | 第109-111页 |
| 致谢 | 第111-112页 |
