| 中文摘要 | 第6-8页 |
| 英文摘要 | 第8-9页 |
| 第一章 绪论 | 第10-36页 |
| 1.1 有机场效应晶体管的研究概况 | 第10-13页 |
| 1.2 有机场效应晶体管介绍 | 第13-30页 |
| 1.2.1 有机场效应晶体管的基本结构 | 第13-14页 |
| 1.2.2 有机场效应晶体管的工作原理 | 第14-16页 |
| 1.2.3 有机场效应晶体管的性能参数 | 第16-19页 |
| 1.2.4 有机场效应晶体管的制备方法 | 第19-21页 |
| 1.2.5 有机场效应晶体管的主要材料 | 第21-29页 |
| 1.2.6 有机场效应晶体管的应用 | 第29-30页 |
| 1.3 本文研究思路 | 第30-31页 |
| 1.4 参考文献 | 第31-36页 |
| 第二章 基于镧系配合物绝缘层的有机场效应晶体管研究 | 第36-54页 |
| 2.1 引言 | 第36-37页 |
| 2.2 绝缘层配合物Eu(tta)3·L的合成 | 第37-39页 |
| 2.2.1 中间原料2-Acetylpyridinepytidium Iodide的合成 | 第37-38页 |
| 2.2.2 配体L：(-)-4,5-哌烯吡啶的合成 | 第38页 |
| 2.2.3 Eu(tta)_3·2H_2O的合成 | 第38-39页 |
| 2.2.4 绝缘层配合物Eu(tta)_3·L的合成 | 第39页 |
| 2.3 绝缘层配合物Eu(tta)_3·L的结构解析 | 第39-41页 |
| 2.4 绝缘层配合物Eu(tta)_3·L的表征 | 第41-42页 |
| 2.5 器件的制备与测试 | 第42-44页 |
| 2.5.1 基片的清洗 | 第42-43页 |
| 2.5.2 器件的制备 | 第43-44页 |
| 2.5.3 器件性能的测试 | 第44页 |
| 2.6 结果与讨论 | 第44-51页 |
| 2.6.1 绝缘层薄膜的表面形貌 | 第44-45页 |
| 2.6.2 绝缘层薄膜的漏电流 | 第45-46页 |
| 2.6.3 绝缘层薄膜的电容和介电常数 | 第46-47页 |
| 2.6.4 并五苯薄膜的表面形貌、结构和电学性能 | 第47-51页 |
| 2.7 本章小结 | 第51-52页 |
| 2.8 参考文献 | 第52-54页 |
| 第三章 邻香草醛吖嗪配合物的合成、表征及性质研究 | 第54-78页 |
| 3.1 引言 | 第54页 |
| 3.2 配体邻香草醛吖嗪L1的合成与表征 | 第54-59页 |
| 3.2.1 配体L1的合成 | 第55页 |
| 3.2.2 配体L1的结构解析 | 第55-59页 |
| 3.2.3 配体L1的结构表征 | 第59页 |
| 3.3 三核线性吖嗪镍基化合物的合成、表征及性质研究 | 第59-68页 |
| 3.3.1 化合物[Ni_3(msda)_2]·(DMF)_2·H_2O·ClO_4(1)的合成 | 第60-61页 |
| 3.3.2 化合物1的结构解析 | 第61-65页 |
| 3.3.3 化合物1的结构表征 | 第65-66页 |
| 3.3.4 化合物1的荧光性质表征 | 第66页 |
| 3.3.5 化合物1的磁性研究 | 第66-68页 |
| 3.4 双核钴基邻香草醛吖嗪化合物的合成、表征及性质研究 | 第68-75页 |
| 3.4.1 化合物[Co_2(msda)_3]·(DMF)_2·H2O(2)的合成 | 第69页 |
| 3.4.2 化合物2的结构解析 | 第69-74页 |
| 3.4.3 化合物2的结构表征 | 第74-75页 |
| 3.4.4 化合物2的荧光性质表征 | 第75页 |
| 3.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 3.6 参考文献 | 第76-78页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79-80页 |
