| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 第一章 概述 | 第12-28页 |
| 1.1 哈斯勒化合物 | 第13-22页 |
| 1.1.1 哈斯勒化合物的结构 | 第13-14页 |
| 1.1.2 拓扑绝缘体材料的研究进展 | 第14-17页 |
| 1.1.3 拓扑半金属 | 第17-20页 |
| 1.1.4 热电材料 | 第20-22页 |
| 1.2 钙钛矿太阳能电池材料 | 第22-25页 |
| 1.2.1 钙钛矿晶体结构 | 第22-23页 |
| 1.2.2 钙钛矿太阳能电池的发展及现状 | 第23-25页 |
| 1.2.3 面临的问题及发展趋势 | 第25页 |
| 1.3 本论文的研究目的及内容 | 第25-28页 |
| 第二章 基础理论和方法 | 第28-40页 |
| 2.1 密度泛函理论(DFT) | 第28-33页 |
| 2.1.1 绝热近似 | 第28-29页 |
| 2.1.2 从多体哈密顿量到单电子的自洽方程 | 第29-31页 |
| 2.1.3 密度泛函理论(DFT) | 第31-33页 |
| 2.2 交换关联势 | 第33-35页 |
| 2.3 玻尔兹曼输运方程 | 第35-40页 |
| 第三章 三元半哈斯勒化合物HfIrX(X = As, Sb, Bi)拓扑相的转变 | 第40-50页 |
| 3.1 研究背景 | 第40-41页 |
| 3.2 HfIrX (X = As, Sb, Bi)的晶体结构及计算方法 | 第41-42页 |
| 3.3 计算结果和讨论 | 第42-48页 |
| 3.3.1 未考虑SOC的电子结构 | 第42-43页 |
| 3.3.2 考虑SOC的电子结构 | 第43-46页 |
| 3.3.3 压力及原子替代诱导的拓扑序的转变 | 第46-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 半哈斯勒化合物ZrIrX (As, Sb,Bi)的热电及拓扑性质的研究 | 第50-66页 |
| 4.1 研究背景简介 | 第50-51页 |
| 4.2 计算方法 | 第51-52页 |
| 4.3 计算结果与讨论 | 第52-63页 |
| 4.3.1 电子结构 | 第52-54页 |
| 4.3.2 电子结构受外力的影响 | 第54-55页 |
| 4.3.3 应力对拓扑相的调节 | 第55-59页 |
| 4.3.4 应力对光学性质的影响 | 第59-60页 |
| 4.3.5 热电性质 | 第60-63页 |
| 4.4 本章小结 | 第63-66页 |
| 第五章 三元化合物TaIrGe的第一性研究 | 第66-74页 |
| 5.1 研究背景 | 第66页 |
| 5.2 计算结果与分析 | 第66-72页 |
| 5.2.1 SOC对电子结构及性质的影响 | 第66-68页 |
| 5.2.2 热电性质 | 第68-70页 |
| 5.2.3 外力对热电、光学性质的影响 | 第70-72页 |
| 5.3 本章小结 | 第72-74页 |
| 第六章 混合钙钛矿CsSn_xPb_(1-x)I_3电子结构与光学性质的第一性原理研究 | 第74-81页 |
| 6.1 研究背景介绍 | 第74-75页 |
| 6.2 计算结果与分析 | 第75-79页 |
| 6.2.1 混合金属钙钛矿的晶体结构 | 第75页 |
| 6.2.2 混合金属钙钛矿的电子结构 | 第75-78页 |
| 6.2.3 光学性质 | 第78-79页 |
| 6.3 本章小结 | 第79-81页 |
| 第七章 卤化物钙钛矿CsAX_2X'(A=Ge，Sn，Pb；X，X'=Cl，Br，I ) 的电子结构与光学性质的第一性原理研究 | 第81-88页 |
| 7.1 研究背景 | 第81-82页 |
| 7.2 计算结果与分析 | 第82-86页 |
| 7.2.1 晶体结构 | 第82-83页 |
| 7.2.2 电子结构 | 第83-85页 |
| 7.2.3 光学性质 | 第85-86页 |
| 7.3 本章小结 | 第86-88页 |
| 第八章 总结与展望 | 第88-90页 |
| 8.1 总结 | 第88-89页 |
| 8.2 展望 | 第89-90页 |
| 参考文献 | 第90-104页 |
| 致谢 | 第104-106页 |
| 攻读博士期间主要工作 | 第106-107页 |
| 参加的学术会议及学术交流 | 第107-108页 |
